[发明专利]一种AlON透明陶瓷的低温快速制备方法有效
| 申请号： | 201210338577.4 | 申请日： | 2012-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN102875152A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 单英春;徐久军 | 申请（专利权）人： | 大连海事大学 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;C04B35/622 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 赵淑梅;李馨 |
| 地址： | 116026 *** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 alon 透明 陶瓷 低温 快速 制备 方法 | ||
1.一种AlON透明陶瓷的低温快速制备方法，包括下述工艺步骤：
①球磨：将AlON粉体和烧结助剂在行星式球磨机上以150-300r/min的转速混合20-40h；
②烘干成型：将步骤①所得AlON陶瓷粉体料浆置于容器中于150℃烘干30-180分钟，过筛，所得粉末干压成型得AlON坯体；
③预抽真空：把步骤②成型的坯体放入石墨坩埚中，将石墨坩埚置于烧结炉中，常温抽真空至10-3Pa后，边升温边抽真空至1000℃保温，直到真空度降到10-2Pa，关闭抽气阀门，向炉内充高纯氮气；
④烧结：当炉内氮气压力呈微正压时，调整氮气流量小于0.4L/min，以升温速率为15-60℃/min升温到烧结温度1780-1900℃保温30-150分钟，烧结完毕后控制降温，得AlON透明陶瓷。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤①中球磨以氮化硅为球磨介质、无水乙醇为分散介质，其中氮化硅的磨球直径分别是10mm、8mm、5mm和3mm，球的级配是1:0.5~1:1~1.5:1~1.5，无水乙醇用量是AlON粉体质量的3-5倍。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤②干压成型采用40-100MPa轴向压力加压成型。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤③中升温速率是5-10℃/min。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤④保温结束后首先以5℃/min降温到1200℃后随炉冷却。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述AlON透明陶瓷的低温快速制备方法包括后处理步骤⑤：将步骤④所得AlON透明陶瓷进行磨平、抛光。
7.一种由权利要求1所述方法制备的AlON透明陶瓷。
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