[发明专利]Al2O3陶瓷基底上TiO2纳米管有序阵列的制备有效
申请号: | 201210337502.4 | 申请日: | 2012-09-13 |
公开(公告)号: | CN102899701A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 张小秋;张柯;李文英;尹桂林;姜来新;余震;何丹农 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学;上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 |
主分类号: | C25D11/26 | 分类号: | C25D11/26;C23C14/35;C23C14/18;B82Y40/00 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 郭国中 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | al sub 陶瓷 基底 tio 纳米 有序 阵列 制备 | ||
1.一种Al2O3陶瓷基底上TiO2纳米管有序阵列的制备方法,其特征在于按以下步骤进行:
(1)Al2O3陶瓷片清洗:依次用丙酮、酒精、去离子水超声清洗;
(2)溅射钛膜:采用直流溅射钛靶,溅射气体为纯氩气;
(3)配制阳极氧化溶液;
(4)对步骤(1)中所得Al2O3陶瓷片在步骤(3)配制的溶液中进行阳极氧化,制备出高度有序的TiO2纳米管阵列。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述(2)中,对磁控溅射腔抽真空,使其真空度小于5.0×10-4Pa。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述(2)中,调节Al2O3陶瓷片与靶材的距离为10~20cm,选用99.99%的纯钛靶作为Ti薄膜沉积的溅射靶。
4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法,其特征在于,所述(2)中,溅射功率为100-200W,溅射时间为1-2h。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述(2)中,Al2O3陶瓷片的基底温度控制在25-400℃。
6.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法,其特征在于,所述(2)中,纯氩气的纯度为99.99%以上,流量为20-80sccm,气体压强为0.3-0.8Pa。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述(3)中,所配的溶液为甘油占体积分数的90%,去离子水占体积分数的10%,NH4F占溶液的质量分数的0.1-1%。
8.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述(4)中,阳极氧化的电压控制在10-30V,时间控制为1-2h。
9.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述(1)中,丙酮、酒精以及去离子水超声的时间各为10min。
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