[发明专利]Al2O3陶瓷基底上TiO2纳米管有序阵列的制备有效

专利信息
申请号: 201210337502.4 申请日: 2012-09-13
公开(公告)号: CN102899701A 公开(公告)日: 2013-01-30
发明(设计)人: 张小秋;张柯;李文英;尹桂林;姜来新;余震;何丹农 申请(专利权)人: 上海交通大学;上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
主分类号: C25D11/26 分类号: C25D11/26;C23C14/35;C23C14/18;B82Y40/00
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人: 郭国中
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: al sub 陶瓷 基底 tio 纳米 有序 阵列 制备
【权利要求书】:

1.一种Al2O3陶瓷基底上TiO2纳米管有序阵列的制备方法,其特征在于按以下步骤进行:

(1)Al2O3陶瓷片清洗:依次用丙酮、酒精、去离子水超声清洗;

(2)溅射钛膜:采用直流溅射钛靶,溅射气体为纯氩气;

(3)配制阳极氧化溶液;

(4)对步骤(1)中所得Al2O3陶瓷片在步骤(3)配制的溶液中进行阳极氧化,制备出高度有序的TiO2纳米管阵列。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述(2)中,对磁控溅射腔抽真空,使其真空度小于5.0×10-4Pa。

3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述(2)中,调节Al2O3陶瓷片与靶材的距离为10~20cm,选用99.99%的纯钛靶作为Ti薄膜沉积的溅射靶。

4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法,其特征在于,所述(2)中,溅射功率为100-200W,溅射时间为1-2h。

5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述(2)中,Al2O3陶瓷片的基底温度控制在25-400℃。

6.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法,其特征在于,所述(2)中,纯氩气的纯度为99.99%以上,流量为20-80sccm,气体压强为0.3-0.8Pa。

7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述(3)中,所配的溶液为甘油占体积分数的90%,去离子水占体积分数的10%,NH4F占溶液的质量分数的0.1-1%。

8.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述(4)中,阳极氧化的电压控制在10-30V,时间控制为1-2h。

9.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述(1)中,丙酮、酒精以及去离子水超声的时间各为10min。

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