[发明专利]设有信号反弹模块的3D-SIC过硅通孔的测试装置有效
| 申请号： | 201210330159.0 | 申请日： | 2012-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102856226A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 王伟;方芳;陈田;刘军;唐勇;李润丰 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 何梅生 |
| 地址： | 230009 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 设有 信号 反弹 模块 sic 硅通孔 测试 装置 | ||
【权利要求书】：
1.设有信号反弹模块的3D-SIC过硅通孔的测试装置，其特征是，包括发送端（1）和接收端（2）；所述发送端和接收端之间通过多条过硅通孔相连接；所述发送端包括第一被测芯片（101）、解码器（102）、控制单元CU、锁存器D和双向开关DSW；所述接收端包括第二被测芯片（201）和信号反弹模块；所述信号反弹模块包括一个信号发生器F、多个延迟单元M和多个三态门（202）；
所述过硅通孔的上端与所述接收端的延迟单元M和信号发生器F相连接，所述延迟单元M均通过各自的三态门（202）与所述信号发生器F相连接；
所述过硅通孔的下端与所述发送端的解码器（102）和双向开关DSW相连接；所述解码器（102）、锁存器D和双向开关DSW均与所述控制单元CU相连接；所述锁存器D还与所述双向开关DSW相连接。
2.根据权利要求1所述的设有信号反弹模块的3D-SIC过硅通孔的测试装置，其特征是，所述锁存器D通过MOS场效应管与电源VDD相连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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