[发明专利]一种复合透明导电薄膜有效
| 申请号： | 201210326857.3 | 申请日： | 2012-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN102881357A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 徐苗;徐华;赵铭杰;王琅;兰林锋;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 广州新视界光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B1/08 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 方振昌 |
| 地址： | 510663 广东省广州市高新技术*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 复合 透明 导电 薄膜 | ||
1.一种复合透明导电薄膜，其特征在于：其包括相互叠加的两层或两层以上的透明薄膜，相邻的两层透明薄膜之间设有一层插入层；所述的透明薄膜为ITO薄膜、AZO薄膜、IZO薄膜中的一种。
2.根据权利要求1所述的一种复合透明导电薄膜，其特征在于：所述的透明薄膜厚度为2~150 nm。
3.根据权利要求1所述的一种复合透明导电薄膜，其特征在于：所述的AZO薄膜中，Al的质量：Zn与Al的总质量=0~0.1。
4.根据权利要求1所述的一种复合透明导电薄膜，其特征在于：所述的IZO薄膜中，In2O3的质量：In2O3与ZnO的总质量=0.1~0.9。
5.根据权利要求1所述的一种复合透明导电薄膜，其特征在于：所述的插入层为厚度为2~20 nm的氧化物薄膜。
6.根据权利要求1所述的一种复合透明导电薄膜，其特征在于：所述的复合透明导电薄膜中的ITO薄膜层数为2~20层。
7.根据权利要求1所述的一种复合透明导电薄膜，其特征在于：所述的透明薄膜以及插入层是采用物理气相沉积方法或热蒸发方法沉积的。
8.根据权利要求2所述的一种复合透明导电薄膜，其特征在于：所述ITO薄膜中In2O3/SnO2重量比为：80/20~95/5。
9.根据权利要求3所述的一种复合透明导电薄膜，其特征在于：所述的氧化物薄膜为 (In2O3)x(MO)y(ZnO)z、 MoO3、 CuO、CaO、CsO2、WO3、MgO薄膜中的一种。
10.根据权利要求7所述的一种复合透明导电薄膜，其特征在于：0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1；且x+y+z=1，M为Ga、Sn、Si、Al、Hf、Ta、Y、Ti、Mg、Zr、Ni、Li、镧系稀土金属元素中的一种。
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