[发明专利]一种准单晶硅锭的切割方法及硅片制造方法

权利要求书

1.一种准单晶硅锭的切割方法，其特征在于，该方法包括：

在正面外形尺寸为第一尺寸的准单晶硅锭上，确定一能将所述准单晶硅锭中生长单晶部分全部包围的正方形边长尺寸，作为第二尺寸；

采用与第二尺寸匹配度最大的开方方式，将所述准单晶硅锭切割为正面外形尺寸为固定大小的硅块；

其中，所述匹配度最大指切割出固定大小硅块的数量最多。

2.如权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述采用与第二尺寸匹配度最大的开方方式，将所述准单晶硅锭切割为正面外形尺寸为固定大小的硅块，具体包括：

根据所述固定大小硅块的正面外形尺寸与所述第二尺寸，确定所述第二尺寸内能够切割出所述固定大小硅块的数量N；

根据能够切割出所述固定大小硅块的数量N，将边长尺寸为所述第二尺寸且包围生长单晶部分的正方形区域，分割为m*m个且边长为所述固定大小硅块的正面外形尺寸的小正方形区域，其中，m*m=N；

采用与所述m*m个小正方形区域完全重合的开方方式，将所述准单晶硅锭切割为N个固定大小的硅块。

3.如权利要求2所述的切割方法，其特征在于，在确定了所述第二尺寸内能够切割出所述固定大小硅块的数量N后，该方法还包括：

对能够切割出所述固定大小硅块的数量N取模，并根据取模得到的余数进行N的奇偶性判断；

根据所述N的奇偶性判断结果，将边长尺寸为所述第二尺寸且包围生长单晶部分的正方形区域，分割为m*m个且边长为所述固定大小硅块的正面外形尺寸的小正方形区域。

4.如权利要求3所述的切割方法，其特征在于，当确定的所述第二尺寸内能够切割出固定大小硅块数量N为偶数时，所述将边长尺寸为所述第二尺寸且包围生长单晶部分的正方形区域，分割为m*m个且边长为所述固定大小硅块的正面外形尺寸的小正方形区域，具体包括：

以包围生长单晶部分的正方形区域的中心点为起点，并以所述固定大小硅块的正面外形尺寸为步长，将边长尺寸为所述第二尺寸且包围生长单晶部分的正方形区域，分割为m*m个且边长为所述固定大小硅块的正面外形尺寸的小正方形区域。

5.如权利要求3所述的切割方法，其特征在于，当确定的所述第二尺寸内能够切割出固定大小硅块数量N为奇数时，所述将边长尺寸为所述第二尺寸且包围生长单晶部分的正方形区域，分割为m*m个且边长为所述固定大小硅块的正面外形尺寸的小正方形区域，具体包括：

以包围生长单晶部分的正方形区域的中心点作为小正方形区域的中心点，并以所述固定大小硅块的正面外形尺寸为步长，将边长尺寸为所述第二尺寸且包围生长单晶部分的正方形区域，分割为m*m个且边长为所述固定大小硅块的正面外形尺寸的小正方形区域。

6.如权利要求2-5任一项所述的切割方法，其特征在于，该方法还包括：

将所述m*m个小正方形区域以正方形阵列形式排布，组成正方形阵列区域；

采用与所述m*m个小正方形区域组成的正方形阵列区域完全重合的开方方式，将所述准单晶硅锭切割为N个固定大小的硅块。

7.如权利要求1-6任一项所述的切割方法，其特征在于，所述固定大小硅块的正面外形尺寸为：

156mm*156mm。

8.一种硅片制造方法，其特征在于，该方法包括：

制作准单晶硅锭；

按照权利要求1-7任一项所述的准单晶硅锭切割方法将所述准单晶硅锭切割为固定大小的硅块；将所述硅块按照设定的硅片厚度切割为硅片。