[发明专利]基于智能变电站二次设备场景测试的控制器无效
| 申请号： | 201210312383.7 | 申请日： | 2012-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN102854856A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 向前;梁志琴;周文闻 | 申请（专利权）人： | 北京博电新力电气股份有限公司 |
| 主分类号： | G05B19/418 | 分类号： | G05B19/418;G01R31/00 |
| 代理公司： | 天津盛理知识产权代理有限公司 12209 | 代理人： | 王利文 |
| 地址： | 100098 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 智能 变电站 二次 设备 场景 测试 控制器 | ||
1.一种基于智能变电站二次设备场景测试的控制器，其特征在于：包括ARM模块、DSP模块和FPGA模块，ARM模块与DSP模块相连接实现数据传输及配置数据功能，DSP模块与FPGA模块将DSP模块生成的仿真数据输出给FPGA模块，所述的ARM模块设置两个电以太网接口与上位机及保护装置相连接，FPGA模块设有光以太网接口与GOOSE、IEC61588、IRIG-B、智能电子装置相连接，FPGA模块设有光串口与合并器相连接，FPGA模块设有开入量接口及开出量接口与保护装置相连接。
2.根据权利要求1所述的基于智能变电站二次设备场景测试的控制器，其特征在于：所述的ARM模块通过HPI总线与DSP模块相连接，所述的DSP模块与FPGA模块通过并行总线相连接。
3.根据权利要求1所述的基于智能变电站二次设备场景测试的控制器，其特征在于：所述的ARM模块包括ARM芯片、以太网PHY芯片、两个以太网变压器、RTC和ARM模块存储器，ARM芯片与RTC芯片相连接由其提供时钟信号，ARM模块通过以太网PHY芯片与两个以太网变压器相连接。
4.根据权利要求3所述的基于智能变电站二次设备场景测试的控制器，其特征在于：所述的ARM芯片还连接有JTAG接口用于调试程序，ARM芯片还连接UART接口用于升级程序。
5.根据权利要求3所述的基于智能变电站二次设备场景测试的控制器，其特征在于：所述的ARM芯片还连接有I2C接口用于采集保护装置的温度数据以进行补偿计算。
6.根据权利要求3所述的基于智能变电站二次设备场景测试的控制器，其特征在于：所述的ARM模块存储器包括FLASH芯片和SDRAM芯片。
7.根据权利要求1所述的基于智能变电站二次设备场景测试的控制器，其特征在于：所述的DSP模块包括DSP芯片及与其相连接的DSP缓冲区和DSP模块存储器。
8.根据权利要求7所述的基于智能变电站二次设备场景测试的控制器，其特征在于：DSP模块存储器包括FLASH和SRAM。
9.根据权利要求1所述的基于智能变电站二次设备场景测试的控制器，其特征在于：所述的FPGA模块包括FPGA芯片、FPGA总线缓冲区、以太网控制芯片和光纤传输器，FPGA芯片通过FPGA总线缓冲区设置开入量接口、开出量接口和光串口，FPGA芯片通过以太网控制芯片与光纤传输器相连接，该光纤传输器设置光以太网接口。
10.根据权利要求9所述的基于智能变电站二次设备场景测试的控制器，其特征在于：所述的开入量接口为8对，所述的开出量接口为4对，所述的光串口为8个，所述的光以太网接口为8个。
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