[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的平板显示器在审
| 申请号： | 201210311792.5 | 申请日： | 2012-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103247690A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 安定根;李王枣 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G09F9/33 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 罗正云;宋志强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 包括 平板 显示器 | ||
1.一种半导体器件，包括：
位于衬底上的半导体层；
栅电极，通过栅绝缘层与所述半导体层电绝缘；
位于所述栅绝缘层和所述栅电极上的绝缘层；以及
位于所述绝缘层上的源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极与所述半导体层连接，并且所述源电极和所述漏电极之一与所述栅电极的至少一部分重叠。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述源电极、所述绝缘层和所述栅电极彼此重叠，以便提供电容器。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述漏电极、所述绝缘层和所述栅电极彼此重叠，以便提供电容器。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述绝缘层包括暴露所述半导体层的接触孔，并且所述源电极和所述漏电极通过所述接触孔与所述半导体层连接。
5.一种平板显示器，包括：
第一薄膜晶体管，与扫描线和数据线连接；
第二薄膜晶体管，与所述第一薄膜晶体管连接；以及
发光元件，与所述第二薄膜晶体管连接，
其中所述第二薄膜晶体管包括：
位于衬底上的半导体层；
栅电极，通过栅绝缘层与所述半导体层电绝缘；
位于所述栅绝缘层和所述栅电极上的绝缘层；以及
位于所述绝缘层上的源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极与所述半导体
层连接，并且所述源电极与所述栅电极的至少一部分重叠。
6.根据权利要求5所述的平板显示器，其中所述源电极、所述绝缘层和所述栅电极彼此重叠，以便提供与所述第二薄膜晶体管集成在一起的电容器。
7.根据权利要求5所述的平板显示器，其中所述绝缘层包括暴露所述半导体层的接触孔，并且所述源电极和所述漏电极通过所述接触孔与所述半导体层连接。
8.根据权利要求5所述的平板显示器，其中所述第二薄膜晶体管的所述源电极与电源电压连接，并且所述第二薄膜晶体管的所述漏电极与所述发光元件连接。
9.根据权利要求8所述的平板显示器，其中所述发光元件包括阳极、有机发光层和阴极，并且所述阳极与所述第二薄膜晶体管的所述漏电极连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司，未经三星显示有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210311792.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
