[发明专利]一种晶硅太阳能电池表面钝化层仿生制备方法

权利要求书

1.一种晶硅太阳能电池表面钝化层仿生制备方法，其步骤如下：

（1）将硅片进行预处理，所述硅片预处理的步骤包括

①将硅片浸入氢氟酸溶液中清洗，浸泡2～3分钟，去离子水冲洗；

②将清洗后的硅片进行制绒处理； 

③将制绒后的硅片进行单面扩散制备PN结；

④将扩散后的硅片表面去除磷硅玻璃；

⑤将硅片进行刻边处理；

（2）向六氟硅酸溶液分别加入二氧化硅粉末、去离子水和硼酸粉末，制备二氧化硅沉积溶液；

（3）将步骤（1）中预处理后的硅片浸没入步骤（2）中配制的二氧化硅沉积溶液中，保持溶液温度20～80℃，光照0.5～6小时，光照强度为0.5～3个太阳，在所述硅片表面沉积生成一层二氧化硅薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种晶硅太阳能电池表面钝化层仿生制备方法，其特征在于：步骤（2）中的二氧化硅沉积溶液配制步骤包括向六氟硅酸溶液加入过量二氧化硅粉末，搅拌，形成饱和的六氟硅酸溶液；

过滤残余的二氧化硅粉末，向饱和的六氟硅酸溶液中加入去离子水，搅拌0.5～3小时，使二氧化硅过饱和，再加入高纯度硼酸粉末，搅拌，静置溶液5～10分钟，形成二氧化硅沉积溶液。

3.根据权利要求1或2所述的一种晶硅太阳能电池表面钝化层仿生制备方法，其特征在于：步骤（2）中所述六氟硅酸溶液的质量浓度为30～35%，所述二氧化硅沉积溶液中的硼酸浓度为0～0.03 mol/L，所述二氧化硅粉末和硼酸粉末的纯度均大于99.99%。

4.根据权利要求3所述的一种晶硅太阳能电池表面钝化层仿生制备方法，其特征在于：步骤（1）中的氢氟酸溶液的浓度为10%。

5.根据权利要求4所述的一种晶硅太阳能电池表面钝化层仿生制备方法，其特征在于：步骤（1）中的制绒处理包括干法制绒或者湿法制绒。

6.根据权利要求5所述的一种晶硅太阳能电池表面钝化层仿生制备方法，其特征在于：步骤（1）中的硅片扩散后的硅片表面方块电阻为50～120Ω/□。

7.根据权利要求6所述的一种晶硅太阳能电池表面钝化层仿生制备方法，其特征在于：步骤（1）中的磷硅玻璃的去除步骤是先将扩散后的硅片浸入氢氟酸溶液中浸泡2-3分钟，再浸入到盐酸中，再用去离子水冲洗。

8.根据权利要求7所述的一种晶硅太阳能电池表面钝化层仿生制备方法，其特征在于：步骤（1）中的刻边处理步骤是将硅片浸入到四氟化碳和氧气的混合等离子体中刻蚀。