[发明专利]一种直拉法制备单晶硅所使用的石墨加热器

说明书

技术领域

本发明涉及一种加热器装置，更具体的说，是涉及一种直拉法制备单晶硅所使用的石墨加热器。

背景技术

当前制备单晶硅主要由两种技术，根据晶体生长方式不同，可以分为区熔单晶硅和直拉单晶硅。直拉单晶硅主要应用于微电子集成电路和太阳能电池方面，是单晶硅的主体。

直拉法是运用熔体的冷凝结晶驱动原理，在固液界面处，藉由熔体温度下降，将产生由液体转换成固态的相变化。为了生长质量合格（硅单晶电阻率、氧含量及氧浓度分布、碳含量、金属杂质含量、缺陷等）的单晶硅棒，在采用直拉法生长时，必须考虑以下问题。首先是根据技术要求，选择使用合适的单晶生长设备，其次是要掌握一整套单晶硅的制备工艺、技术，包括：（1）单晶硅系统内的热场设计，确保晶体生长有合理稳定的温度梯度；（2）单晶硅生长1系统内的氩气气体系统设计；（3）单晶硅挟持技术系统的设计；（4）为了提高生产效率的连续加料系统的设计；（5）单晶硅制备工艺的过程控制。

热的传输靠三种主要模式，亦即辐射、对流及热传导。由于晶体的生长是在高温下进行，所以这三种模式都存在于系统中。在直拉法里，熔体是藉由石墨加热器的辐射热而被加热，而熔体内部的热传导则是主要靠着对流，晶棒内部的热传输主要靠着传导。另外，从液面及晶棒表面散失到外围的热则是藉由辐射作用。系统内的温度分布对晶体生长质量有很大的影响。包括缺陷的密度与分布、氧的析出物生成等。

直拉单晶制造法（Czochralski，CZ法）是将原料多硅晶块放入适应坩埚中，在单晶炉中加热融化，再将一根直径只有10mm的棒状晶种（籽晶）浸入熔液中。在合适的温度下，熔液中的硅原子会顺着晶种的硅原子排列结构在固液交界面上形成规则的结晶，成为单晶体。把晶种微微的旋转向上提升，熔液中的硅原子会在前面形成的单晶体上继续结晶，并延续其规则的原子排列结构。若整个结晶环境稳定，就可以周而复始的形成结晶，最后形成一根圆柱形的原子排列整齐的硅单晶晶体，即硅单晶锭。

目前单晶炉大都采用石墨加热器对适应坩埚内的多晶原料进行加热熔化。普通石墨加热器，如图1和图2所示，为一个环形的石墨上进行均匀开槽，然后再电极腿上通电加热，一般电压小于60VDC，22英寸热场最大加热功率在165kw。这种加热器轴向电阻均匀，发热功率轴向均匀，大的热场考虑拉晶时热场梯度需要，在环形加热器下面再安装一个底部石墨加热器，参见图3，如24英寸热场热场底部施加最大20kw的底部加热功率。目前国内22英寸热场都是单加热器结构，24英寸及以上热场是双加热器结构。这样的设置增加了设备投入，且操作复杂化。

CN101580962A提供了一种直拉单晶炉的石墨加热器的改进结构。该加热器包括在轴向方向上布置了交互且均匀开槽的环形石墨加热器，在环形石墨加热器上设置一个减薄加热段，减薄加热段的径向横截面积为加热器其余部位的径向横截面积的2/3～3/4；所述减薄加热段是指从加热器的底部起至总高度处的1/5～1/4部分。本发明使得加热功率在加热器的减薄处增加，轴向分布得到改变，间接在环形加热器底部形成一个附加的底部加热器功能，从而通过单个石墨加热器的结构设计但能达到原有技术中环形石墨加热器加底部加热器的两个加热器的效果。这样的设置其加热主要发生在靠近环形石墨加热器的环形壁上，而环形石墨加热器的底部很难受热，热态分布不均衡。

而且，对于制备单晶硅的市场，其需求往拉制大直径单晶发展，而大直径单晶的生长随着热系统尺寸的加大，就需要更均衡的热态分布，更稳定的温度控制，而且控制能耗也成了必须考虑的问题。传统的加热器在拉制大尺寸单晶时已经力不从心，在拉制9寸以上单晶时，都需要对单晶炉增加底部加热或保温，而装底部加热器需要更改炉底盘，多加两根电极和水冷，增加了成本且难度技术较大。而上述直拉单晶炉的石墨加热器的改进结构也显然无法满足上述需求。

发明内容

为克服上述，本发明的目的在于提供一种直拉法制备单晶硅所使用的石墨加热器，该石墨加热器在无需改造单晶炉设备的情况下，实现底部加热器效果。

为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种直拉法制备单晶硅所使用的石墨加热器，包括形成加热系统的加热器本体、设置在加热器本体侧壁的侧壁发热体、以及设置在加热器本体底部用于支撑石墨坩埚的底部支撑脚，其中：所述的侧壁发热体向下和向内延伸形成弧形的底部发热体。