[发明专利]太阳能电池片的生产工艺

权利要求书

1.太阳能电池片的生产工艺，其特征在于：该方法具体包括以下工序：

a、一次清洗工序；将硅片先进行制绒，再进行去金属离子，最后将硅片进行去硅面表面的氧化物；

b、扩散工序；将一次清洗工序后的硅片移至石英舟槽内，用舟叉将石英舟槽端至碳化硅桨上进行扩散；

c、刻蚀工序；将多块扩散工序后的硅片成一组装入刻蚀夹具上，再将刻蚀夹具放入刻蚀机中进行刻蚀；

d、二次清洗工序；将刻蚀工序完的硅片进行表面去磷清洗，再用去离子水对硅片进行漂洗；

e、PEVCD工序；将二次清洗工序后的硅片放入石墨舟中，将石墨舟送入PECVD镀膜设备的加工腔中进行镀膜；

f、丝网印刷工序；将PEVCD工序后的硅片放入硅片印刷机上进行丝网印刷，进行丝网印刷是先进行背电极印刷，然后烘干，烘干后对硅片进行背电场印刷，再烘干，接着进行正电极印刷，最后将硅片送入烧结炉中进行烧结；

g、测试分选工序；将丝网印刷工序后的硅片进行性能测试，并对测试后的硅片分选成多个等级。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池片的生产工艺，其特征在于：所述的一次清洗工序中，将硅片先进行制绒是先将硅片置入160L纯水中，再往纯水中投入2.0-2.7kg氢氧化钠，反应60秒后，然后往溶液中加入6-7L异丙醇和1L 制绒添加剂，反应1200秒后一次清洗工序中的制绒工序结束。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池片的生产工艺，其特征在于：所述的一次清洗工序中，将制绒完的硅片进行去金属离子是将硅片投入浓度为15%的盐酸溶液中，漂洗300秒后去金属离子工序结束；，将去金属离子结束后的硅片进行去硅面表面的氧化物是将硅片投入浓度为15%的氢氟酸溶液中，漂洗300秒后去氧化物工序结束。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池片的生产工艺，其特征在于：所述的扩散工序中，依次包括以下步骤：进舟10分钟、回温氧化10分钟、预点淀积12分钟、升温15分钟、预推阱3分钟、推阱14分钟、降温10分钟、出舟10分钟。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池片的生产工艺，其特征在于：所述的刻蚀工序中，依次包括以下步骤；预抽真空120s、主抽真空100s、通入O₂和CF₄稳压20s、辉光放电1200s、再通入O₂40s、抽除残余60-100s、氮气回压60s。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池片的生产工艺，其特征在于：所述的二次清洗工序；将刻蚀工序完的硅片投入浓度为20%的氢氟酸溶液中静置8-16分钟，进行表面去磷清洗。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池片的生产工艺，其特征在于：所述的PEVCD工序中，PECVD镀膜设备的参数设定为：SiH₄的通入流量为0.75L/min，NH₃的通入流量为6.3L/min；敷层所需压强为200pa，工艺开启所需压强为200pa；加热器加热温度为440-480℃，加热时间为2400-3000s；硅片的传输速度为800-1000mm/min。

8.根据权利要求1至7任一项所述的太阳能电池片的生产工艺，其特征在于：所述的丝网印刷工序中，各具体步骤的参数如下；

背面电极印刷的参数为印刷速度为300mm/s，刮板压力为4-6kg，丝网间距1.3-1.8mm；

背面电极烘干的参数为烘箱温度为220℃，烘箱带速为4000-4200mm/s；

背面电场印刷的参数为印刷速度为220-280mm/s，刮板压力为4-7kg，丝网间距1.8-2.8mm；

背面电场烘干的参数为烘箱温度为180℃，烘箱带速为4000-4200mm/s；

正电极印刷参数为印刷速度为250-280mm/s，刮板压力4-6kg，丝网间距1.2-1.8mm；

烧结炉的参数为带速为190ipm，烧结炉内包括9个温区，且每个温区从前至后为310℃、320℃、320℃、450℃、540℃、600℃、680℃、840℃、890℃。