[发明专利]新型ITO层非搭接一体式电容触摸屏及其制造方法

权利要求书

1.一种新型ITO层非搭接一体式电容触摸屏，其特征在于：包括透明基板，依次层叠于透明基板的二氧化硅层、五氧化二铌层、黑色树脂层、ITO电极、绝缘层；所述的ITO电极为水平方向或垂直方向导通电极，具有规则图形结构；ITO电极为ITO导通电极1与ITO导通电极2组成，ITO导通电极1与ITO导通电极2在同一层面，相互独立，相互绝缘，交错设计；所述透明基板包括视窗区和非视窗区，黑色树脂层分布在显示屏非视窗区。所述的二氧化硅层厚的度为100~1000埃米，所述的五氧化二铌层的厚度为50~500埃米。

2.一种新型ITO层非搭接一体式电容触摸屏，包括透明基板，依次层叠于透明基板的黑色树脂层、二氧化硅层、五氧化二铌层、ITO电极、绝缘层；所述的ITO电极为水平方向或垂直方向导通电极，具有规则图形结构；ITO电极为ITO导通电极1与ITO导通电极2组成，ITO导通电极1与ITO导通电极2在同一层面，相互独立，相互绝缘，交错设计；所述透明基板包括视窗区和非视窗区，黑色树脂层分布在显示屏非视窗区。所述的二氧化硅层厚的度为100~1000埃米，所述的五氧化二铌层的厚度为50~500埃米。

3.如权利要求1或2所述的新型ITO层非搭接一体式电容触摸屏，其特征是：所述的透明基板为厚度在0.5mm~2.0mm的化学强化玻璃基板或树脂材料基板；所述ITO电极规则结构为条形，或毛毛虫形，两者相互独立，相互绝缘。

4.如权利要求3所述的新型ITO层非搭接一体式电容触摸屏，其特征是：所述的黑色树脂层厚度为0.3μm~5μm；ITO电极层厚度为80~2000埃米。

5.如权利要求4所述的新型ITO层非搭接一体式电容触摸屏，其特征是：

所述的ITO包括In2O3和SnO2，其质量比为85~95：5~15。

6.一种制备新型ITO层非搭接一体式电容触摸屏的方法，包括步骤：

二氧化硅层的形成：经过二氧化硅镀膜，使在透明基板上形成一层透明及厚度均匀的二氧化硅膜层，其厚度为100~1000埃米；

五氧化二铌层的形成：经过五氧化二铌镀膜，使在二氧化硅层上形成一层透明及厚度均匀的五氧化二铌膜层，其厚度为50~500埃米；

黑色树脂层的形成：将黑色树脂经过旋转涂布方式或刮式涂布方式均匀涂布在透明基板上，涂布厚度为0.3μm~5μm，经过加热器预烤，曝光，显影，使之形成所需之黑色树脂区域；

所述黑色树脂是感光性保护层光阻剂，所述光阻剂包括亚克力树脂，环氧树脂，负性感光剂，乙酸丙二醇单甲基醚酯及黑色颜料；其比例为树脂类：乙酸丙二醇单甲基醚酯：黑色颜料及负性感光剂=15~30：60~80：1~10；

ITO电极层的形成:

形成黑色树脂层的透明基板，经过ITO镀膜，使在玻璃基板上形成一层透明及厚度均匀的ITO膜层，其厚度为80~2000埃米；

经过ITO镀膜的透明基板，在其ITO表面涂布一层厚度均匀的正性光阻材料，光阻涂布厚度为1μm~5μm；

经过光阻预烤，曝光，显影，蚀刻，脱光阻膜，最终形成厚度为80~2000埃米及规则ITO图案或电极；

所述的ITO电极为水平方向或垂直方向导通电极，具有规则图形结构；ITO电极为ITO导通电极1与ITO导通电极2组成，ITO导通电极1与ITO导通电极2在同一层面，相互独立，相互绝缘，交错设计；

绝缘层的形成:

经过ITO电极后的透明基板，在其金属膜面涂布一层厚度均匀的负性光阻材料，光阻涂布厚度为0.5μm~3μm；

经过光阻预烤，曝光，显影，最终形成厚度为0.5~3μm和规则的绝缘层图案。