[发明专利]一种新型LED制备工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光材料，尤其涉及一种新型LED制备工艺。

背景技术

1997年，日本日亚公司的Nakamura在蓝光InGaN/GaN芯片上涂覆YAG:Ce³⁺黄色荧光粉，由荧光粉发出的黄光与工nGaN/GaN芯片所发出的蓝光混合形成白光，从而引发了一场照明方式的革命。白光LED相对于传统白炽灯和荧光灯相比，具有体积小(颗粒小，易组合)、发热量低(无热辐射)、耗电小、寿命长(大于10000小时)，反应快，环保(无汞污染，可回收)等优点。YAG:Ce³⁺荧光粉在白光LED中起着非常关键的作用。

YAG:Ce³⁺荧光粉的基质为钇铝石榴石，具有良好的机械性能，物理化学性能，耐高温辐照和电子轰击能力，是一种优良的发光材料。目前YAG:Ce³⁺荧光粉由于流程较长，过程不易控制，收率较低、能耗大、产品不稳定、生产成本较高。

发明内容

本发明针对传统LED生产工艺的工艺流程较长，过程不易控制，收率较低、能耗大、产品不稳定、生产成本较高的问题，做出了工艺和配方上的改进；提供一种能耗小，收率高，生产成本低的一种新型LED制备工艺。

为实现上述目的，本实用新型所采用的技术方案为：

一种新型LED制备工艺，其中包括以下步骤：原料粉未的配制，窑炉高温还原，其特点在于：所述的原料粉未的配制是根据Y₃Al₅O₁₂：0.06Ce³⁺化学式计算称取Al₂O₃(99.99％)、Y₂O₃(99.999％)、CeO₂(99.99％)并加入1％H₃BO₃和BaF₂作为助熔剂(按照化学计量比称取Y₂O₃55.59g、CeO₂1.73g、Al₂O₃42.69g、H₃BO₃lg、BaF₂1g)，加入玛瑙球在混料器中混料72小时。所述的窑炉高温还原是将混匀后试样放在500cc坩埚中，加盖在N₂+3H₂的气氛中，以1500℃保温6小时。本新型LED制备工艺还包括破碎过筛，球磨或气流粉碎，湿过筛，清洗离心甩干，即用破碎机将荧光粉破碎后，将试样水洗，以便除去试样中的杂质。本新型LED制备工艺还包括烘干，超声波选粉，即将荧光粉放在烘箱中以120℃保温17小时；烘干后，将LED荧光粉过500目超声波震动筛。

本发明的优点是：本新型LED制备工艺采用三基色蓝粉窑炉直接高温还原、粉碎、选粉、清洗、烘干成品一套流程；通过调节炉温，保温时间和助熔剂的加入量来控制LED荧光粉的粒度，达到能耗小，收率高，生产成本低的优点。

附图说明

图1为本发明工艺流程简图。

具体实施方式

下面结合附图与具体实施例对本发明作进一步描述：