[发明专利]一种用于集成光电子器件的微纳图形的制作方法及应用无效
申请号: | 201210297193.2 | 申请日: | 2012-08-21 |
公开(公告)号: | CN103631086A | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 余永林;赵家霖;唐怡超;赵航 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | G03F7/00 | 分类号: | G03F7/00;G03F9/00 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 王超 |
地址: | 430074 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 集成 光电子 器件 图形 制作方法 应用 | ||
1.一种用于集成光电子器件的微纳图形的制作方法,其特征在于包括:首先制作压印模版,并对压印模版和压印基片进行固定;然后将压印模版与压印基片对准并贴合,将压印模版的微纳图形压印到压印基片的压印光刻胶上;最后将转移到压印光刻胶上的微纳图形作为刻蚀掩膜,刻蚀得到所需的集成光电子器件微纳图形结构。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,对压印模版和压印基片固定的方法包括:首先用掩模对准机的模版固定夹具固定模版固定及对准组件,将模版固定及对准组件上部的真空孔设置在模版固定夹具的真空槽处;开启真空后,真空吸力经过模版固定夹具的真空槽,由模版固定及对准组件中的真空孔传递至该组件下表面中心的真空孔处,压印模版被真空吸力吸附于该组件下表面,即将纳米压印模板固定在模版固定及对准组件之上;最后在压印基片上旋涂一层压印光刻胶,并将压印基片放置固定在工作台上。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,将压印模版与压印基片对准并贴合的方法包括:在压印基片和压印模版上设置有对准标记,调整工作台的高度,使压印基片与纳米压印模板逐渐接近,通过光学显微镜观察压印基片与纳米压印模板上的对准标记,同时调整工作台在水平方向的位置和角度,直至所述的对准标记对准;最后继续调整工作台的高度,使压印基片和压印模板接触贴合。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述微纳图像压印的方法包括热压印和紫外压印法。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,热压印法的步骤包括:
a)将贴合的压印基片和压印模板加热到压印光刻胶的玻璃化温度以上,对压印模板施以机械压力,使该模板压入软化的压印光刻胶内,通过变温、变压过程,使压印光刻胶填充到压印模板的微纳图形结构间隙中;
b)降温至常温后撤销压力,并使压印基片和压印模板脱离。
6.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,紫外压印法包括:
a)将贴合的压印基片和压印模板加热到压印光刻胶的玻璃化温度以上,对压印模板施以机械压力,使该模板压入软化的压印光刻胶内,通过变温、变压过程,使压印光刻胶填充到压印模板的微纳图形结构间隙中,然后利用紫外光对压印光刻胶进行曝光固化;
b)降温至常温后撤销压力,并使压印基片和压印模板脱离。
7.根据权利要求4或6所述的方法,其特征在于:采用紫外压印法时,压印模版采用能透过紫外线的材料。
8.根据权利要求1~6中任一项所述的方法,其特征在于:得到包含微纳图形的压印基片后,利用反应离子束刻蚀法对压印基片表面进行去残胶处理,再利用干法或湿法刻蚀方法刻蚀出微纳图形。
9.一种用于集成光电子器件的微纳图形的制作方法的应用,其特征在于:应用于在包含光栅、光子晶体的集成光电子器件制作中。
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