[发明专利]光组件

权利要求书

1.一种光组件,包括在波长1．06μｍ的维德常数为0．27ｍｉｎ／（Ｏｅ·ｃｍ）以上的法拉第转子以及在所述法拉第转子的外周配置的第1中空磁铁以及将该第1中空磁铁在光轴上夹持而配置的第2以及第3的中空磁铁单元，其特征在于:第2以及第3中空磁铁单元，由对光轴成90度均等分割的2个以上的磁铁来构成，在所述法拉第转子上施加的磁通密度Ｂ（Ｏｅ）在下述式（1）的范围内，所述法拉第转子的样品长度Ｌ（ｃｍ）在下述式（2）的范围内，所述法拉第转子的外径Ｄ（ｃｍ）在下述式（3）的范围内。

0．5×10⁴≦Ｂ≦1．5×10⁴        （1）

0．70≦Ｌ≦1．10                （2）

0．20≦Ｄ≦0．60                （3）

2.根据上述1的光组件，其特征在于:所述法拉第转子含有99重量％的下述式（Ｉ）表示的氧化物，

（Ｔｂ_xＲ_1-x）₂Ｏ₃        （Ｉ）

式（Ｉ）中，ｘ为0．5≦ｘ≦1．0，Ｒ为从钪、钇以及Ｔｂ以外的镧系元素群选择出的至少1种元素。

3.根据权利要求2的光组件,其特征在于:所述氧化物为单晶。

4.根据权利要求2的光组件，其特征在于:所述氧化物为陶瓷。

5.根据权利要求1-4的任意一项的光组件,其特征在于:所述法拉第转子为圆筒形状，具有1ｄＢ以下的插入损耗以及25ｄＢ以上的消光比。

6.根据权利要求1-5的任一项的光组件,其特征在于:第1中空磁铁，第2以及第3中空磁铁单元为由钕-铁-硼（ＮｄＦｅＢ）类磁铁构成。

7.根据权利要求1-6的任一项的光组件,其特征在于:第1中空磁铁的磁场极性为光轴方向，第2以及第3的中空磁铁单元的磁场极性在光轴法线方向上相互相反。

8.根据权利要求1-7的任一项的光组件,其特征在于:第1中空磁铁，第2中空磁铁单元以及第3中空磁铁单元被装载于碳钢筐体的内部。

9.一种光组件的制造方法,该组件为权利要求1-8的任一项所述的组件,其特征在于:在粗加工的法拉第转子的外周面进行1．0ｍｍ以上的外周磨削加工。

10.根据权利要求9的光组件的制造方法,其特征在于:在粗加工的法拉第转子的两端面上进行一端面0．5ｍ以上的端面研磨加工。