[发明专利]一种分步加热制备硅基三维纳米结构的方法

权利要求书

1.一种分步加热制备硅基三维纳米结构的方法，其特征在于，该方法使用两个相互嵌套的中空石墨坩埚，分别放置硅源和镀铁的硅片基底，在1分钟内迅速将温度升高至950摄氏度，保持5分钟后调整感应炉功率使得炉内温度在数秒内降低至850摄氏度，继续保持5分钟后关闭电源并自然冷却到室温，在硅片基底上得到的黄色物即为三维硅基纳米结构。

2.根据权利要求1所述的一种分步加热制备硅基三维纳米结构的方法，其特征在于，所述的硅源为一氧化硅或硅片。

3.根据权利要求1所述的一种分步加热制备硅基三维纳米结构的方法，其特征在于，所述的镀铁的硅片基底是通过磁控溅射在硅片上镀设直径在5-50纳米的纳米铁颗粒。

4.根据权利要求1所述的一种分步加热制备硅基三维纳米结构的方法，其特征在于，所述的硅源放置于较小石墨坩埚中，所述的镀铁的硅片基底放置于较大的石墨坩埚中，两个坩埚相互嵌套，使得从硅源蒸发的蒸汽可以平稳的通过硅片表面。

5.根据权利要求1所述的一种分步加热制备硅基三维纳米结构的方法，其特征在于，加热反应时采用氩气保护。

6.根据权利要求1所述的一种分步加热制备硅基三维纳米结构的方法，其特征在于，升温至950摄氏度的过程在1分钟内完成，降温至850摄氏度在5-20秒内完成。