[发明专利]一种减薄碳纳米管薄膜的方法

权利要求书

1.一种减薄碳纳米管薄膜的方法，包括：

1）将碳纳米管初级膜提供在高表面能的第一转印基底上；

2）将高表面能的第二转印基底覆盖在第一转印基底的覆盖有碳纳米管初级膜的一面上；

3）将第一转印基底与第二转印基底分离，使该碳纳米管初级膜被分开，各有部分厚度的碳纳米管初级膜被分别转移到第一转印基底与第二转印基底上，得到两片碳纳米管一级膜。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括步骤4）：将步骤3）获得的碳纳米管一级膜用作碳纳米管初级膜，并重复所述步骤2）和步骤3）。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述步骤1）包括：先将所述碳纳米管初级膜平铺在平整基底上，并消除碳纳米管初级膜中的褶皱，然后将所述高表面能的第一转印基底覆盖在平整基底上的碳纳米管初级膜上，再使所述第一转印基底与所述平整基底分离，并使碳纳米管初级膜转移到所述高表面能的第一转印基底上。

4.根据权利要求3所述的方法，其中步骤1）中所述消除碳纳米管初级膜中的褶皱的方法包括：将平整基底及其表面的碳纳米管初级膜一同置于有机溶剂中，使有机溶剂液面与碳纳米管初级膜表面持平或高于初级膜表面不足0.5mm，然后让有机溶剂蒸发。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述高表面能的转印基底包括表面带有静电的转印基底。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述高表面能的转印基底包括表面带有粘结层的转印基底。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述高表面能的转印基底的表面经过了提高表面能的处理。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述高表面能的转印基底包括表面带有静电的聚乙烯、聚丙烯、米拉、聚酰亚胺或聚对笨二甲酸乙二醇酯。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述高表面能的转印基底的材质可以为柔性薄膜材料或刚性材料。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述步骤3）中将第一转印基底与第二转印基底分离的速度不低于0.1cm/s。