[发明专利]一种Sn-S基热电化合物及其制备方法

权利要求书

1.一种Sn-S基热电化合物的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

a）提供初始原料，所述初始原料中含有Sn单质、S单质以及Ag、Cu或In单质，所述Sn单质、S单质以及Ag、Cu或In单质的摩尔比为1：0.8～2：0～1；

b）将所述初始原料在保护气体气氛中进行干磨；

c）将干磨后的物料加入有机液体介质进行湿磨；

d）将湿磨后的粉末取出烘干，得到干燥粉末；

e）将所述干燥粉末压实后进行真空烧结，得到Sn-S基热电化合物。

2.根据权利要求1所述的Sn-S基热电化合物的制备方法，其特征在于，所述步骤b）包括：

b-1）将所述初始原料加入球磨罐，并将球磨罐进行抽真空；

b-2）向经过抽真空的球磨罐内通入保护气体，并将球磨罐安装于球磨机上进行干磨。

3.根据权利要求1所述的Sn-S基热电化合物的制备方法，其特征在于，所述保护气体为氩气。

4.根据权利要求2所述的Sn-S基热电化合物的制备方法，其特征在于，所述步骤b）中干磨的转速为200～450转/min，干磨时间为2～20小时。

5.根据权利要求1所述的Sn-S基热电化合物的制备方法，其特征在于，所述步骤c）中湿磨的转速为50～350转/min，湿磨时间为15～120分钟。

6.根据权利要求1所述的Sn-S基热电化合物的制备方法，其特征在于，所述有机介液体质为无水乙醇。

7.根据权利要求1所述的Sn-S基热电化合物的制备方法，其特征在于，所述步骤e）包括：

e-1）将所述干燥粉末加入石墨模具中，用石墨压头压实，得到块体样品；

e-2）将所述块体样品加入放电等离子烧结炉中，在真空条件下烧结，冷却后得到Sn-S基热电化合物块体。

8.根据权利要求7所述的Sn-S基热电化合物的制备方法，其特征在于，在所述步骤e-2）中，所述放电等离子烧结炉升温速度为40～180℃/min，烧结温度为550～700℃，压力为20～60Mpa，保温时间为5～10分钟。

9.根据权利要求1所述的Sn-S基热电化合物的制备方法，其特征在于，所述真空条件为真空度小于20Pa。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的Sn-S基热电化合物的制备方法制备得到的Sn-S基热电化合物。