[发明专利]微型电容器加工的工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种电容器加工的工艺，尤其是一种微型电容器加工的工艺。

背景技术

目前，现时市场普遍加工的微型电容器为0603(１.60×0.80mm)。而对于0402系列的独石电容，其尺寸为长×宽（１.00×0.50mm)，由于芯片的超小，微型，加工工艺难度较大，特别对于自动上片工序能否上片是关键，由于0402芯片超小，对自动上片的成型，上片，焊接要求高。

发明内容

本发明的目的是提供一种能够加工微型电容器、产品性能可靠的微型电容器加工的工艺。

为实现上述目的，本发明所采用的技术方案是：一种微型电容器加工的工艺，包括以下的工艺步骤：

(A)自动上片工序

采用专用的自动上片机将导线卷绕成型、上片、在一定温度条件和时间焊接；

(B) 涂装工序

采用环氧树脂包封机将上完片的电容器，进行环氧树脂在一定的温度条件包封，包封后，电容外观美观，符合客户要求；

（C）固化工序

采用固化炉对环氧树脂包封后的电容进行恒温度固化，固化后的机械强度大于10磅；

（D）打标工序

采用激光打标机，在电容头（固化后的环氧树脂粉）上打印标识，要求标记清晰，美观；

（E）切尾工序

采用自动切尾机，将电容引线的尾巴切断，以便进行电性能测试；

（F）电性能测试工序

采用专用的绝缘电阻测试仪，容量损耗测试仪，按GB/T2693-2000标准对电容进行分选，测试，提供合格的产品；

(G) 切脚工序

采用自动切脚机，按要求对产品的引线脚进行切脚；

（H）包装入库工序

最后按要求，将产品进行包装入库。

优选的是，所述步骤（B）中的环氧包封前需要预热，预热温度95~105℃。

进一步优选的是，所述步骤（B）中的环氧包封前需要预热，预热温度100℃。

优选的是，所述步骤（A）中的焊接温度为260~270℃，焊接时间在0.2~0.4S以内。进一步优选的是，所述步骤（A）中的焊接温度为265℃，焊接时间在0.3S以内。焊接温度、时间的控制严格，进一步保证了产品的可靠性。

优选的是，所述步骤（B）中的包封温度305~345℃。

进一步优选的是，所述步骤（B）中的包封温度325℃。

优选的是，所述步骤（C）中恒温固化的温度为145~155℃，恒温时间为85~95分钟

进一步优选的是，所述步骤（C）中恒温固化的温度为150℃℃，恒温时间为90分钟。

采用本发明的工艺后，可以满足对微型电容器的加工，该微型电容器的尺寸可达到长×宽（１.00×0.50mm)。解决了传统工艺无法加工到这些超小，微型芯片的问题。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明：

图1为本发明的工艺流程图。

具体实施方式

图1所示，本发明的微型电容器加工的工艺，包括以下的步骤：

(A)自动上片工序

采用专用的自动上片机将导线卷绕成型、上片、在一定温度条件和时间焊接；焊接温度为265±5℃，焊接时间在0.3±0.1S以内；

(B) 涂装工序

采用环氧树脂包封机将上完片的电容器，进行环氧树脂在一定的温度条件包封，包封后，电容外观美观，符合客户要求；环氧包封前需要预热，预热温度100±5℃；并包封温度为325±20℃；

（C）固化工序

采用固化炉对环氧树脂包封后的电容进行恒温度固化，固化后的机械强度大于10磅；恒温固化的温度为150℃±5℃，恒温时间为90分钟；

（D）打标工序

采用激光打标机，在电容头（固化后的环氧树脂粉）上打印标识，要求标记清晰，美观；

（E）切尾工序

采用自动切尾机，将电容引线的尾巴切断，以便进行电性能测试；

（F）电性能测试工序

采用专用的绝缘电阻测试仪，容量损耗测试仪，按GB/T2693-2000标准对电容进行分选，测试，提供合格的产品；

(G) 切脚工序

采用自动切脚机，按要求对产品的引线脚进行切脚；

（H）包装入库工序

最后按要求，将产品进行包装入库。