[发明专利]DDS检测结构及检测方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示装置检测技术领域，尤其涉及一种DDS检测结构及检测方法。

背景技术

目前薄膜场效应晶体管液晶显示器（TFT-LCD）产业阵列（Array）产线测试中需要检测数据线开路（Data Open）、DDS（数据线-数据线短路Data-Data Short）等，其电路测试的主要方法是：在外围电路将所有数据线（Data线）的奇数线通过一条短路条（shorting bar）连成一条奇数总电路线DO，在外围电路将所有的偶数线通过一条短路条连成一条偶数总电路线DE；当分别在所述奇数总电路线DO和偶数总电路线DE上加不同的电压时，如果没有发生短路，则电流顺利流走，如果不同的数据线之间发生短路，形成电路回路，进而检测到DDS。短路条的优势在于可以依照所检查的显示面板尺寸来弹性设计，并配合多次移动测试，如此可进行大尺寸显示面板的检测。但通过短路条进行的电路测试只是很笼统的测试，不能对DDS进行分类，从而使得以后的分析过程很繁琐，增加分析时间，不能更有效及时地确认不良的原因，进而提高良率。

发明内容

（一）要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是：提供一种DDS检测结构，以尽量缩小DDS发生位置的查找范围和DDS的种类查找范围，从而可以更快更准确的找到DDS产生的原因。

（二）技术方案

为解决上述问题，一方面，本发明提供了一种DDS检测结构，包括：

显示面板，具有在外围电路区中依次排列的若干数据线，每相邻两根数据线包括一根奇数线和一根偶数线；

奇数总电路线，与所述数据线的所有奇数线连接，具有奇数电压输入端；

偶数总电路线，与所述数据线的所有偶数线连接，具有偶数电压输入端；

所述显示面板位于外围电路区的每根数据线上设置有通断开关。

优选地，所述通断开关为薄膜场效应晶体管开关，所述检测结构还包括控制所述薄膜场效应晶体管开关通断的控制线。

优选地，所述控制线与所述显示面板上的栅线同层制作。

优选地，所述检测结构至少设有N根控制线，N大于等于3并且小于等于数据线的总数；每依次排列的N根数据线上的薄膜场效应晶体管开关分别由不同的控制线控制。

优选地，所述检测结构设有3根控制线。

另一方面，本发明还提供了一种采用上述DDS检测结构进行DDS检测的方法，包括以下步骤：

S1：向所述奇数电压输入端和偶数电压输入端之一输入高电势，另一个输入低电势；关断所有通断开关，使得显示面板内电路与外围电路的数据线断开；如果有信号从输入低电势的总电路线输出，则说明外围电路异常，发生数据线短路，检测结束；如果没有信号从输入低电势的总电路线输出，则说明外围电路没有问题，转到步骤S2；

S2：向所述奇数电压输入端和偶数电压输入端之一输入高电势，另一个输入低电势；将所述通断开关分为至少三组，分别连通至少一组通断开关，其它通断开关保持关断，如果有信号从输入低电势的总电路线输出，则说明连通的通断开关所在的数据线上发生异常，检测结束；如果没有信号从输入低电势的总电路线输出，则说明连通的通断开关所在的数据线没有问题。

优选地，所述步骤S2中，分别连通至少一组通断开关具体为：首先依次连通一组通断开关，在所述若干组通断开关都分别连通后输入低电势的总电路线没有输出信号时，再依次连通两组通断开关，在所述若干组通断开关都分别连通后输入低电势的总电路线没有输出信号时，再不断增加连通的通断开关组数，直到有信号从输入低电势的总电路线输出，检测结束。

优选地，所述检测结构至少设有N根控制线，N大于等于3并且小于等于数据线的总数；每依次排列的N根数据线上的通断开关分别由不同的控制线控制，所述通断开关根据控制线的不同分为N组。

优选地，所述N为3，所述控制线包括第一控制线、第二控制线和第三控制线。

（三）有益效果

本发明能尽快的缩小DDS现象发生的位置和DDS的种类的查找范围，从而可以更快更准确的找到DDS现象发生的原因，提高产品良率。

附图说明

图1为本发明实施例DDS检测结构的示意图；

图2为本发明实施例DDS检测结构中控制线、薄膜场效应晶体管开关和奇、偶数总电路线的位置关系示意图;

图3为本发明实施例DDS检测方法的步骤流程图。

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本发明进行详细说明如下。