[发明专利]用于磁制冷的材料及其制备方法和用途

权利要求书

1.一种用于磁制冷的材料，所述材料的化学式为Ho_xEr_1-xNi_y，其中，0≤x<1，0.8<y≤1，所述材料具有FeB型正交立方晶体结构。

2.根据权利要求1所述的材料，其中，所述材料的化学式为ErNi_y；

优选地，0.9≤y≤1；

优选地，所述FeB型正交立方晶体结构的空间群为Pnma，晶格参数约为

3.根据权利要求1所述的材料，其中，所述材料的化学式为Ho_xEr_1-xNi；

优选地，0≤x≤0.8，更优选地，0≤x≤0.2，进一步优选地，0.05≤x≤0.1；

优选地，所述材料为单相的FeB型正交立方晶体结构材料，其空间群为Pnma，晶格参数约为

4.根据权利要求1至3中任一项所述的用于磁制冷的材料的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：

（1）称取金属Ho、Er和Ni原料，并混合；其中，所述原料Ni的物质的量按照化学式称取，而所述原料Ho和Er的物质的量按照比化学式过量1~5%的量称取；

（2）将步骤（1）获得的混合后的物料放入反应炉中，抽真空，用稀有气体清洗，然后在稀有气体保护下进行熔炼；

（3）将步骤（2）获得的熔炼后的物料进行真空退火处理；

（4）将步骤（3）获得的真空退火处理后的物料骤冷，制得目标材料。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其中，步骤（1）中所述原料Ho和Er的物质的量按照比化学式过量2~3%的量称取。

6.根据权利要求4或5所述的制备方法，其中，步骤（2）中所述熔炼的温度不低于1500°C，优选为1500~1700°C；

优选地，步骤（2）中所述熔炼的时间为0.5~10分钟，优选为1~3分钟；

优选地，步骤（2）中抽真空至压力小于或等于3.5×10^-3Pa，优选为2×10^-3~3.5×10^-3Pa；

优选地，步骤（2）中所述稀有气体为氦气、氖气、氩气、氪气、氙气或氡气，优选为氩气，例如，纯度不低于99.999%的高纯氩气；

优选地，所述反应炉为电弧炉或感应加热炉。

7.根据权利要求4至6中任一项所述的制备方法，其中，步骤（3）中所述真空退火处理的温度为400~800°C，真空退火处理的时间为1~7200小时，优选为144~192小时；

优选地，所述真空退火处理的真空度为1×10^-6～1×10^-4Pa；

优选地，步骤（3）中所述真空退火处理包括：将熔炼后的物料用钼箔包裹，并密封在真空度为1×10^-6～1×10^-4Pa的石英管中，然后进行退火处理。

8.根据权利要求4至7中任一项所述的制备方法，其中，步骤（4）中所述骤冷是通过将真空退火处理后的物料淬入液氮或水中实现的。

9.根据权利要求4至8中任一项所述的制备方法，其中，所述金属Ho、Er和Ni原料的纯度不低于99.9%。

10.权利要求1至3任一项所述的材料作为制冷材料的用途。