[发明专利]一种绝缘体上二维薄膜材料的制备方法

权利要求书

1.一种绝缘体上二维薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）根据需求选择合适的绝缘衬底；

（2）对所述绝缘衬底的表面和/或待转移至所述绝缘衬底的体材料的表面进行活化处理；

（3）将所述绝缘衬底与所述体材料进行表面接触，施加外物理场使二维薄膜材料从所述体材料表面剥离下来，覆盖到所述绝缘衬底的表面。

2.如权利要求1所述的绝缘体上二维薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述绝缘衬底的材料为SiO₂、Si₃N₄、MgO、BN、SiON、FSG、AIN、云母、硼化玻璃、蓝宝石、石英、硅胶中的一种，或已进行光刻图形化的SiO₂、Si₃N₄、MgO、BN、SiON、FSG、AIN、云母、硼化玻璃、蓝宝石、石英、硅胶中的一种。

3.如权利要求1所述的绝缘体上二维薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述体材料为石墨、BN、MoS₂、WS₂、NeSe₂、Bi₂、Sr₂CaCu₂O、NiCl₂中的一种，或已进行光刻图形化的石墨、BN、MoS₂、WS₂、NeSe₂、Bi₂、Sr₂CaCu₂O、NiCl₂中的一种。

4.如权利要求1所述的绝缘体上二维薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中对所述绝缘衬底的表面和/或待转移至所述绝缘衬底的体材料的表面进行活化处理的方法为化学或物理处理方法，包括：化学溶液处理、等离子体轰击、加热、光照。

5.如权利要求1所述的绝缘体上二维薄膜材料的制备方法，其特征在于，当对所述绝缘衬底的表面或所述体材料的表面中的一面进行活化处理时，使经过活化处理的表面带有与所述活化处理的表面接触的另一表面产生亲和作用的极性官能团。

6.如权利要求1所述的绝缘体上二维薄膜材料的制备方法，其特征在于，当对所述绝缘衬底的表面和所述体材料的表面进行活化处理时，两个被活化处理的表面可进行同种或者不同种的表面修饰，使两个表面带有产生亲和作用的极性官能团。

7.如权利要求1所述的绝缘体上二维薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中，在对所述绝缘衬底的表面和/或待转移至所述绝缘衬底的体材料的表面进行活化处理之前，还包括如下步骤：通过胶带吸附所述体材料的表层材料，裸露出新鲜的体材料表面，获得干净的晶体表面。

8.如权利要求1所述的绝缘体上二维薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中从体材料表面剥离下来的二维薄膜的厚度包括：单原子层薄膜材料至9原子层薄膜材料。