[发明专利]一种硅基异质结太阳能电池用外延硅薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种硅基异质结太阳能电池用外延硅薄膜的制备方法，其特征在于，采用热丝化学气相沉积法在单晶硅表面外延生长硅薄膜，具体步骤如下：

A、将单面抛光N型(100)晶向FZ单晶硅片浸入浓度为2～3%的氢氟酸水溶液中保持5～20秒，去除单晶硅片表面的氧化物，然后放入反应室抽真空，真空度为2×10^-4Pa～9×10^-5Pa；衬底加热，使硅片达到表面温度260～400℃；

B、向反应室通入氢气，氢气流量为200～300sccm，通过调节热丝两端的电压使热丝温度达到1700～1900℃，压强控制在180～220Pa，维持时间为40～60秒，降低硅片表面缺陷态密度，以便促进薄膜的外延生长；

C、保持热丝温度1700～1900℃，向反应室通入氢气与硅烷，氢气与硅烷的流量比为49：1，压强控制在1～3Pa，在单晶硅片表面沉积制备厚度为1～8纳米外延生长的本征硅薄膜，即硅基异质结太阳能电池的界面缓冲层；

D、保持热丝温度1700～1900℃，向反应室通入氢气、硅烷与三甲基硼烷，氢气、硅烷与三甲基硼烷的流量比为9：1：0.002，压强控制在1～3Pa，在本征外延硅薄膜表面沉积制备厚度为15～20纳米外延生长的P型硼掺杂硅薄膜，即硅基异质结太阳能电池的发射极。

2.根据权利要求1所述的一种硅基异质结太阳能电池用外延硅薄膜的制备方法，其特征在于，热丝距离单晶硅片表面的距离为4～6cm。

3.根据权利要求1所述的一种硅基异质结太阳能电池用外延硅薄膜的制备方法，其特征在于，所制备P型硼掺杂硅薄膜的能带宽度为1.16～1.25eV，电导率为0.008～0.05 S/cm，电导激活能为0.08～0.2eV。