[发明专利]NandFlash存储器写操作过程掉电防护方法有效

专利信息
申请号: 201210232680.0 申请日: 2012-07-06
公开(公告)号: CN103530242A 公开(公告)日: 2014-01-22
发明(设计)人: 许李纳;华正杰;李会同;杨清祥;杨立军 申请(专利权)人: 河南思维自动化设备股份有限公司
主分类号: G06F12/16 分类号: G06F12/16
代理公司: 郑州中原专利事务所有限公司 41109 代理人: 张春;李想
地址: 450001 河*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: nandflash 存储器 操作过程 掉电 防护 方法
【权利要求书】:

1.一种NandFlash存储器写操作过程掉电防护方法,其特征在于:在NandFlash存储器中定义一个交换块,交换块用来备份原块数据;若在NandFlash存储器写操作过程中出现掉电,则重新上电时,对交换块和原块的每个扇区分别进行ECC校验,从而判断原块数据和交换块数据的有效性;

若交换块中存在扇区ECC校验错误,则表明交换块中没有有效的可供恢复的数据,则直接跳出掉电保护操作,执行在线编程器正常操作;若交换块各扇区ECC校验正确,则需进一步判断原块数据有效性;若原块各扇区ECC校验正确,则直接跳出掉电保护操作,执行在线编程器正常操作;若原块存在扇区ECC校验错误,则将交换块中的数据回写到原块。

2.根据权利要求1所述的NandFlash存储器写操作过程掉电防护方法,其特征在于,NandFlash存储器写操作过程如下:先将定义的交换块擦除,擦除后,将原块数据备份到交换块中;接着,擦除原块中旧的数据,将交换块中的原首数据回写至原块,再将新的待写入数据写至原块,最后将交换块中的原尾数据回写至原块。

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