[发明专利]用于太阳能电池的背面点接触部制造的方法无效
申请号: | 201210229934.3 | 申请日: | 2012-05-17 |
公开(公告)号: | CN102790127A | 公开(公告)日: | 2012-11-21 |
发明(设计)人: | Y·K·赵;J·黄 | 申请(专利权)人: | 因特瓦克公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;夏青 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 太阳能电池 背面 点接触 制造 方法 | ||
1.一种用于在太阳能电池的背面电介质层中形成孔以制造背面点接触部的方法,包括:
将在所述背面上具有电介质层的太阳能电池传送到真空处理系统中;
在所述电介质层上沉积碳层;
在所述碳层上机械放置遮蔽掩模,所述遮蔽掩模具有与所述背面点接触部对齐的多个孔;
产生等离子体以穿过所述遮蔽掩模中的所述多个孔来蚀刻所述碳层;
从所述太阳能电池机械去除所述遮蔽掩模;
产生等离子体以穿过所述碳层来蚀刻所述电介质层;以及
去除所述碳层。
2.根据权利要求1所述的方法,其中去除所述碳层包括利用等离子体灰化所述碳层。
3.根据权利要求2所述的方法,其中灰化所述碳层的步骤在用于蚀刻所述电介质层的同一室中原位执行。
4.根据权利要求2所述的方法,其中在氧气中进行灰化。
5.根据权利要求1所述的方法,其中放置所述遮蔽掩模包括将具有多个孔的大致平坦的板放置到所述太阳能电池的所述背面上。
6.根据权利要求5所述的方法,其中所述平坦的板由硅、陶瓷、石墨或碳化硅制成。
7.根据权利要求1所述的方法,其中沉积碳层包括在化学气相沉积室中分解碳氢化合物气体。
8.根据权利要求7所述的方法,其中所述碳氢化合物气体包括CxHy,其中x的范围是2至4,y的范围是2至10。
9.根据权利要求7所述的方法,其中分解碳氢化合物气体包括加热碳氢化合物气体至100℃至700℃之间。
10.根据权利要求1所述的方法,其中产生等离子体以蚀刻所述碳层包括利用溴化氢、氧气和氩气的混合气体来产生等离子体。
11.一种用于为制造背面点接触部而在太阳能电池的背面蚀刻孔的系统,包括:
预真空锁,用于将太阳能电池引入真空环境;
碳沉积室,用于在所述太阳能电池的所述背面上沉积碳层;
掩模加载室,用于在所述太阳能电池上机械放置遮蔽掩模;
碳蚀刻室,用于穿过所述遮蔽掩模在所述碳层中蚀刻孔;
电介质蚀刻室,用于穿过所述碳层在所述太阳能电池的电介质层中蚀刻孔;
掩模卸载室,用于从所述太阳能电池上机械去除所述遮蔽掩模;以及
卸载锁,用于将太阳能电池移出真空环境。
12.根据权利要求11所述的系统,还包括碳灰化室,用于在所述电介质层中蚀刻孔之后去除所述碳层。
13.根据权利要求11所述的系统,其中所述碳沉积室包括化学气相沉积室。
14.根据权利要求13所述的系统,其中所述化学气相沉积室包括等离子体增强化学气相沉积室。
15.根据权利要求11所述的系统,其中所述碳蚀刻室和所述电介质蚀刻室中的每一个包括反应离子蚀刻室。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的