[发明专利]一种大马士革工艺空气间隔的制作方法无效

专利信息
申请号: 201210228260.5 申请日: 2012-07-04
公开(公告)号: CN102768986A 公开(公告)日: 2012-11-07
发明(设计)人: 梁学文;陈玉文;胡友存;姬峰;李磊 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 王敏杰
地址: 201210 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 大马士革 工艺 空气 间隔 制作方法
【权利要求书】:

1.一种大马士革工艺空气间隔的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤1,在基体上淀积第一介电层,刻蚀第一介电层以形成第一沟槽图案,淀积第一隔离层;

步骤2,去除第一沟槽底部的第一隔离层;

步骤3,在第一介电层和第一隔离层上形成第一铜互连线;

步骤4,去除第一隔离层,形成第一空气间隔;

步骤5,采用光刻工艺,在第一光刻胶上形成空气间隔;并刻蚀以在第一介电层上第一沟槽之间形成第二空气间隔。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:

步骤6,淀积第二介电层,刻蚀形成第二沟槽图案,淀积第二隔离层,并去除第二沟槽底部的第二隔离层;

步骤7,在第二介电层上形成第一通孔,并形成第二铜互连线;

步骤8,去除第二隔离层,形成第三空气间隙;

步骤9,采用光刻工艺,在第二光刻胶上形成空气间隔;并刻蚀以在第二介电层上第二沟槽之间形成第四空气间隔。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤1中的第一介电层由低介电常数材料制成。

4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤1中的第一介电层通过化学气相沉积形成。

5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤1中的第一隔离层由正硅酸乙酯制成。

6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤3中的第一铜互连线通过淀积第一金属阻挡层和电镀填充铜形成。

7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,所述第一金属阻挡层由TiN、Ti、TaN、Ta、WN、W中的一种或多种制成。

8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤4中通过湿法刻蚀去除第一隔离层。

9.如权利要求8所述的方法,其特征在于,所述湿法刻蚀所选溶剂为氟化氢溶液。

10.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述步骤7中通过光刻工艺形成第一通孔。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210228260.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top