[发明专利]基于补偿发光的ZnCuInS/ZnS量子点白光LED及其制作方法无效

专利信息
申请号: 201210213400.1 申请日: 2012-06-26
公开(公告)号: CN102723440A 公开(公告)日: 2012-10-10
发明(设计)人: 张宇;翟微微;张佳全;于伟泳;王一丁;张铁强;林晓珑;冯毅 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 代理人: 朱世林;王寿珍
地址: 130012 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 基于 补偿 发光 zncuins zns 量子 白光 led 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种基于补偿发光的ZnCuInS/ZnS量子点白光LED,包括有玻璃衬底(1)、ITO电极(2)、PEDOT:PSS层(3)、Poly-TPD层(4)、ZnCuInS/ZnS量子点层(5)以及Al电极(6),其特征在于:

所述的ITO电极(2)是透明的,作为LED的正极,沉积在玻璃衬底(1)上;

所述的PEDOT:PSS层(3)为缓冲层,旋涂在ITO电极(2)上;

所述的Poly-TPD层(4)产生蓝绿光,作为LED的空穴迁移层,旋涂在PEDOT:PSS层(3);

所述的ZnCuInS/ZnS量子点层(5)产生红光,旋涂在Poly-TPD层(4)上;所产生红光和Poly-TPD层(4)产生的蓝绿光互补,形成白光;

所述的Al电极(6)作为LED的负极,热蒸镀在ZnCuInS/ZnS量子点层(5)上。

2.根据权利要求1所述的一种基于补偿发光的ZnCuInS/ZnS量子点白光LED,其特征在于:

所述的Poly-TPD层(4)和ZnCuInS/ZnS量子点层(5)是分离的;载流子从ITO电极(2)和Al电极(6)注入,在Poly-TPD层(4)和ZnCuInS/ZnS量子点层(5)交界面处复合,使得两层发光颜色互补,产生白光。

3.根据权利要求2所述的一种基于补偿发光的ZnCuInS/ZnS量子点白光LED,其特征在于:

所述的ZnCuInS/ZnS量子点层(5)产生峰值波长在620nm附近的红光;所述的Poly-TPD层(4)在高温处理和退火冷却到室温后,产生峰值波长在480nm附近的蓝绿光;在ZnCuInS/ZnS量子点层(5)上包覆一层Poly-TPD层(4)后,二者发光颜色互补,产生白光。

4.一种基于补偿发光的ZnCuInS/ZnS量子点白光LED的制作方法,其特征在于:包括以下步骤:

首先,在玻璃衬底(1)上沉积ITO电极(2);

其次,在ITO电极(2)上旋涂PEDOT:PSS层(3);

第三,在PEDOT:PSS层(3)上沉积Poly-TPD层(4);

第四,在Poly-TPD层(4)上旋涂ZnCuInS/ZnS量子点层(5);

最后,在ZnCuInS/ZnS量子点层(5)上热蒸镀制作Al电极(6)。

5.根据权利要求4所述的一种基于补偿发光的ZnCuInS/ZnS量子点白光LED的制作方法,其特征在于:各步骤具体内容如下:

首先,将带有ITO电极(2)的玻璃衬底(1)用超声净洗,分别置于清洗液、去离子水、丙酮和异丙醇中清洗2次,每次15分钟;在150℃下烘烤10分钟后,进行紫外线处理;

其次,通过旋涂方法将PEDOT:PSS层(3)旋涂在ITO电极(2)上,旋涂厚度是30nm,接着在N2环境下150℃退火10分钟;

第三,将空穴传输材料Poly-TPD层(4)旋涂在PEDOT:PSS层(3)上,作为空穴迁移层,在N2环境下120℃退火30分钟;

第四,将胶体ZnCuInS/ZnS量子点溶液旋涂在空穴迁移层上,形成ZnCuInS/ZnS量子点层(5),在N2环境下80℃退火30分钟;

最后,采用热蒸镀的方法在ZnCuInS/ZnS量子点层(5)上沉积150nm厚的Al电极(6),完成基于补偿发光的ZnCuInS/ZnS量子点白光LED的制作。

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