[发明专利]高电容单层电容器

权利要求书

1.一种高电容单层陶瓷电容器，包括：陶瓷介电体，具有至少一个内部电极，所述至少一个内部电极延伸穿过所述陶瓷介电体的宽度的一部分并与导电金属化层电接触，所述导电金属化层位于所述陶瓷体的一个侧面和顶面或底面中的至少一部分上；以及至少一个电隔离的金属化焊盘，位于所述陶瓷体的相对的顶面或底面。

2.根据权利要求1所述的电容器，还具有在所述陶瓷体内隔开的两个或更多个电极。

3.根据权利要求1所述的电容器，其中，在所述电容器的顶面或底面上存在彼此电隔离的多个金属化焊盘。

4.根据权利要求3所述的电容器，其中，所述金属化焊盘具有不同尺寸。

5.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述陶瓷体具有堡体，所述堡体具有沿着侧表面的金属化层以与又一电极电连接。

6.一种高电容单层陶瓷电容器，包括：陶瓷介电体，具有至少一个内部电极，所述至少一个内部电极延伸穿过所述陶瓷介电体的宽度的一部分并与导电金属化层电接触，所述导电金属化层位于所述陶瓷体的一个侧面和顶面或底面中的至少一部分上；以及位于所述顶面或底面上的又一电隔离的金属化焊盘，其与所述电极电接触。

7.根据权利要求6所述的电容器，还具有在所述陶瓷体内隔开的两个或更多个电极。

8.根据权利要求6所述的电容器，其中，所述陶瓷体具有堡体，所述堡体具有沿着侧表面的金属化层以与又一电极电连接。

9.一种高电容单层陶瓷电容器，包括：陶瓷介电体，具有至少一个内部电极，所述至少一个内部电极延伸穿过所述陶瓷介电体的宽度的一部分并通过通孔与位于所述陶瓷体的顶面或底面上的导电金属化层电接触，所述通孔包括延伸穿过所述陶瓷体的整个高度并与所述顶面或底面电连通的金属化层；以及又一电隔离的金属化焊盘，位于相对的顶面或底面。

10.一种高电容单层陶瓷电容器，包括：陶瓷介电体，具有至少两个内部电极，所述至少两个内部电极延伸穿过所述陶瓷体的整个宽度并被具有已知厚度的介电材料层分离，每个内部电极均与单独的导电金属化层电连通，所述导电金属化层位于所述陶瓷体的至少一个侧面和顶面或底面中的至少一部分上，所述导电金属化层被电绝缘带分离，所述电绝缘带围绕所述陶瓷体的侧表面延伸且部分地延伸进所述电极之间的介电层中。

11.一种制造高电容单层陶瓷电容器的方法，包括如下步骤：

在坯体状态的陶瓷介电片的层之间放置一个或多个电极；

在所述坯体状态的陶瓷片上印刷顶部金属化层和底部金属化层；

将所述坯体状态的陶瓷介电片切割成独立的陶瓷芯片；

烧制所述芯片以将所述介电片的层和所述电极与所述顶部金属化层和所述底部金属化层烧结在一起；

用导电胶金属化所述芯片的一个或多个侧面；

固化所述导电胶。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，固化所述导电胶的步骤是通过烧制来进行的，并且所述方法还包括对所有金属化表面进行电镀的步骤。

13.一种制造高电容单层陶瓷电容器的方法，包括如下步骤：

在坯体状态的陶瓷介电片的层之间放置一个或多个电极；

在所述坯体状态的陶瓷片上印刷顶部金属化层和底部金属化层；

将所述坯体状态的陶瓷介电片切割成独立的陶瓷芯片；

在所述坯体状态的陶瓷芯片的至少一个侧面上印刷金属化层；以及

烧制所述芯片以将所述介电片的层和所述电极与所述金属化层烧结在一起。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括对所有金属化表面进行电镀的步骤。

15.一种制造高电容单层陶瓷电容器的方法，包括如下步骤：

在坯体状态的陶瓷介电片的层之间放置一个或多个电极；

在所述坯体状态的陶瓷片上印刷顶部金属化层和底部金属化层；

烧制所述坯体状态的陶瓷片以将所述介电片的层和所述电极与所述金属化层烧结在一起；

在所烧制的陶瓷片的表面上印刷抗蚀层或掩膜；

切割所烧制的陶瓷片以创建独立的芯片；以及

优先对所述陶瓷芯片进行电镀或涂覆，其可包括或者可不包括去除所述抗蚀层或掩膜的步骤。