[发明专利]一种用于太阳能电池的晶体硅片的清洗方法有效
申请号: | 201210207356.3 | 申请日: | 2012-06-21 |
公开(公告)号: | CN102716867A | 公开(公告)日: | 2012-10-10 |
发明(设计)人: | 贺文慧;刘经伟;辛国军;章灵军 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯(中国)投资有限公司 |
主分类号: | B08B3/08 | 分类号: | B08B3/08 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 陶海锋;陆金星 |
地址: | 215129 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 太阳能电池 晶体 硅片 清洗 方法 | ||
1.一种用于太阳能电池的晶体硅片的清洗方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1) 配置清洗液:将HF溶液和H2O2溶液进行混合,然后用碱液调节pH值,使其pH值控制在2~5之间,即可得到清洗液;
其中,HF和H2O2的摩尔比为1:2~8,清洗液中HF的摩尔浓度为10~40 mol/L;
(2) 将待处理的硅片放入上述清洗液中进行清洗,使清洗后的硅片的方块电阻提升5~10欧姆/sq;
清洗温度为20~25℃,清洗时间为100~200秒。
2.根据权利要求1所述的用于太阳能电池的晶体硅片的清洗方法,其特征在于:所述步骤(1)中的碱液为氢氧化铵。
3.根据权利要求1所述的用于太阳能电池的晶体硅片的清洗方法,其特征在于:所述步骤(1)中,用碱液调节pH值,使其pH值控制在2~4之间。
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