[发明专利]等离子体工艺设备中用于至射频驱动电极的气体传递的射频扼流器

说明书

本申请是原申请日为2008年6月25日、原申请号为200880024220.0、原国际申请号为PCT/US2008/068148的PCT申请“RF CHOKE FOR GAS DELIVERY TO AN RF DRIVER ELECTRODE IN A PLASMA PROCES SING APPARATUS”的分案申请。

技术领域

本发明的实施例一般涉及一种射频(RF)扼流器及气体供应管，所述射频扼流器及气体供应管用于在等离子体工艺设备中匹配阻抗。

背景技术

随着对较大型平板显示器的需求持续增加，基板及工艺室的尺寸也要随之增加。当太阳能面板的需求增加时，有时需要较高的RF场。一种在平板显示器或太阳能面板的基板上沉积材料的方法为等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)。在PECVD过程中，工艺气体经过喷气头而导入工艺室中，并且所述工艺气体被RF场点燃成为等离子体，所述RF场被施加至喷气头。随着基板尺寸增加，施加至喷气头的RF场也随之增加。随着RF场的增加，早期气体(premature gas)在气体通过喷气头之前分解的可能性增加，则在喷气头上方形成寄生等离子体(parasitic plasma)的可能性也会增加。

因此，本领域中需要一种减少早期气体分解及寄生等离子体形成的RF扼流器及气体供应管。

发明内容

在大面积等离子体工艺系统中，工艺气体经由喷气头组件而导入腔室中，喷气头组件可作为RF电极驱动。接地的气体供应管与喷气头为电性隔离。气体供应管不但提供工艺气体，还提供来自远程等离子体源的清洁气体至工艺室。气体供应管的内侧可以维持在低RF场或是零RF场，以避免早期气体在气体供应管中分解，而早期气体在气体供应管中分解可能导致在气体源及喷气头之间形成寄生等离子体。将气体供应通过RF扼流器，则RF场及工艺气体可经过共同位置而导入工艺室中，并因而简化腔室设计。

在一实施例中，RF扼流器组件包括气体供应管，该气体供应管包括金属及一或多个亚铁盐组件，所述一或多个亚铁盐组件围绕气体供应管。

在另一实施例中，公开一种设备。该设备包括：RF功率源；气体源；以及RF扼流器组件，所述RF扼流器组件耦接于RF功率源与气体源之间。该组件包括：气体供应管，所述气体供应管包括金属。气体供应管可包括第一端和第二端，所述第一端与气体源耦接，所述第二端与RF功率源耦接。气体供应管还包括一或多个亚铁盐组件，所述一或多个亚铁盐组件围绕该气体供应管。

在另一实施例中，公开一种气体输送方法，该方法包括：将气体流经金属管的内侧。该金属管包括第一端和第二端，所述第一端耦接至气体源及耦接至地，所述第二端耦接至RF功率源。该方法还包括将RF电流沿着金属管的外侧流动，由此，在金属管内侧流动的气体不会暴露于RF电流。

附图说明

为让本发明的上述特征更明显易懂，可配合参考实施例说明，实施例的部分表示如附图所示。需注意的是，虽然所附图揭露本发明特定实施例，但附图并非用以限定本发明的精神与范围，任何本领域技术人员，可作各种的更动与润饰而得等效实施例。

图1A，表示根据本发明的一实施例的PECVD设备的概要剖面视图。

图1B，表示部分的图1A的概要放大视图。

图2A，表示根据本发明的一实施例的RF扼流器及气体供应组件的概要视图。

图2B，表示图2A的端视图。

图3，表示根据本发明的另一实施例的RF扼流器及气体供应组件的概要视图。

图4，表示根据本发明的另一实施例的RF扼流器的概要剖面视图。

图5，表示根据本发明的另一实施例的RF扼流器的概要剖面视图。

图6，表示根据本发明的一实施例的气体供应管的概要剖面视图。

图7A，表示根据本发明的一实施例的与等离子体工艺室耦接的RF扼流器的概要剖面视图。

图7B，表示图7A的电路图式。

图8A，表示根据本发明的另一实施例的与等离子体工艺室耦接的RF扼流器的概要剖面视图。

图8B，表示图8A的电路图式。

图9A，表示根据本发明的另一实施例的与等离子体工艺室耦接的RF扼流器的概要剖面视图。

图9B，表示图9A的电路图式。

图10A，表示根据本发明的另一实施例的与等离子体工艺室耦接的RF扼流器的概要剖面视图。

图10B，表示图10A的电路图式。