[发明专利]一种可调控介质层磁性的阻变存储器有效
| 申请号： | 201210186988.6 | 申请日： | 2012-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN102738391A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 宋成;潘峰;陈光;彭晶晶 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100084 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 调控 介质 磁性 存储器 | ||
【权利要求书】：
1.一种可调控介质层磁性的阻变存储器，包括底电极、顶电极以及位于所述底电极和顶电极之间的介质层；其特征在于：所述介质层为过渡金属掺杂的氧化锌薄膜。
2.根据权利要求1所述的可调控介质层磁性的阻变存储器，其特征在于：所述过渡金属选自下述至少一种：Co、Fe和Ni。
3.根据权利要求1或2所述的可调控介质层磁性的阻变存储器，其特征在于：所述介质层由下述原子百分比的元素组成：过渡金属为1.0～3.0 at.﹪，Zn为47.0～49.0 at.﹪，其余为O。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的可调控介质层磁性的阻变存储器，其特征在于：所述介质层的厚度可为20～200nm。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的可调控介质层磁性的阻变存储器，其特征在于：所述底电极和顶电极均为铂电极或金电极。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的可调控介质层磁性的阻变存储器，其特征在于：通过调控所述阻变存储器的电阻值变化，实现对所述阻变存储器的磁性调控。
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