[发明专利]振荡电路

说明书

技术领域

本发明涉及具备按照振荡输出被驱动的MOSFET（MOS电场效应晶体管）的振荡电路。

背景技术

在振荡电路中，要求与负载的有无或负载电流无关地输出恒定的振荡频率f的振荡波形。因此，在振荡电路中需要确保负载的驱动能力且减轻负载的影响的输出级电路。

图1是表示现有的振荡电路50的输出级电路的一例的图。现有的输出级电路具备将振荡输出生成电路80的振荡输出输入到晶体管M_H、M_L的CMOS反相器（CMOS inverter）。该CMOS反相器的输出波形经由输出端子63作为振荡电路50的恒定的振荡频率f的振荡波形被输出到负载60。另外，从恒流源71供给在负载60中流过的电流。

作为振荡电路的现有技术文献，例如列举出专利文献1。

但是，在现有技术中，即使改变在振荡电路上外接的负载的阻抗，也无法变更为与该阻抗相适应的驱动能力。因此，例如在振荡电路上外接的负载中存在多个变形方式（variation）时，在振荡电路侧难以应对该变形方式的不同。

专利文献1：日本特开2006-311379号公报

发明内容

因此，本发明的目的在于提供能够变更负载的驱动能力的振荡电路。

为了达成上述目的，本发明的振荡电路，具备：恒压生成电路；生成振荡输出的振荡输出生成电路；并列地具有被供给通过所述恒压生成电路生成的恒定电压作为电源电压的多个MOSFET电路，将所述多个MOSFET电路的各自的输出点互相连接的输出电路；以及按照所述振荡输出，驱动从所述多个MOSFET电路中根据选择输入而选择出的MOSFET电路的驱动电路，根据所述选择输入而未被选择的MOSFET电路的输出为高阻抗。

根据本发明，能够变更负载的驱动能力。

附图说明

图1是表示现有的振荡电路50的输出级电路的一例的图。

图2是作为本发明的第一实施例的振荡电路100的框图。

图3是作为本发明的第二实施例的振荡电路200的框图。

图4是详细表示VCXO30的第一结构例的图。

图5是详细表示VCXO30的第二结构例的图。

图6是详细表示VCXO30的第三结构例的图。

符号说明

20 温度补偿电路

30 压控晶体振荡器（VCXO）

35 晶体振子

36 输出级电路

40 存储器

50 振荡电路

60 负载

61 电源电压输入端子

63 振荡频率输出端子

70 恒压生成电路

71 恒压源

80 振荡输出生成电路

90 输出电路

91 驱动电路

100 振荡电路

200 温度补偿型晶体振荡器（TCXO）

A1~A6，S1~S6 开关电路

D0 CMOS反相器

D1、D2、D3 MOSFET电路

W1、W2、W3 反转电路

具体实施方式

以下，参照附图说明本发明的实施方式。图2是作为本发明的第一实施例的振荡电路100的框图。振荡电路100具备恒压生成电路70、振荡输出生成电路80、输出电路90和驱动电路91。

恒压生成电路70只要生成恒定电压Vref’即可。在图2中，作为恒压生成电路70表示了具备恒压源71和作为耗尽型（depletion）N沟道MOSFET的晶体管Md的例子。在这种情况下，恒压源71是根据从电源电压输入端子61输入的直流的电源电压Vdd生成恒定的基准电压Vref的电路。作为恒压源71列举出电阻分压电路等，但是，在基准电压Vref的稳定化方面，调节器（regulator）是适合的。另外，向晶体管Md的漏极供给电源电压Vdd，向栅极供给基准电压Vref。通过在晶体管Md中使用耗尽型N沟道MOSFET，可以在晶体管Md的源极侧生成与基准电压Vref大致相等的恒定电压Vref’。另外，可以抑制基准电压Vref由于向负载60供给的电流的变动而变动。