[发明专利]振荡电路

权利要求书

1.一种振荡电路，其特征在于，具备：

恒压生成电路；

生成振荡输出的振荡输出生成电路；

输出电路，该输出电路中并列地具有多个MOSFET电路，所述多个MOSFET电路各自的输出点互相连接，所述多个MOSFET电路被供给通过所述恒压生成电路生成的恒定电压作为电源电压；以及

驱动电路，其按照所述振荡输出来驱动从所述多个MOSFET电路中根据选择输入而选择出的MOSFET电路，

根据所述选择输入而未被选择的MOSFET电路的输出为高阻抗。

2.根据权利要求1所述的振荡电路，其特征在于，

所述多个MOSFET电路分别具有串联连接了高端MOSFET和低端MOSFET的结构，

所述输出点是所述高端MOSFET和所述低端MOSFET之间的连接点。

3.根据权利要求2所述的振荡电路，其特征在于，

所述多个MOSFET电路分别相对于所述连接点在高端具备电阻。

4.根据权利要求3所述的振荡电路，其特征在于，

所述多个MOSFET电路分别相对于所述连接点在低端具备电阻。

5.根据权利要求2至4中任意一项所述的振荡电路，其特征在于，

所述高端MOSFET和所述低端MOSFET是N沟道MOSFET。

6.根据权利要求2至5中任意一项所述的振荡电路，其特征在于，

所述驱动电路，

针对每个所述高端MOSFET的栅极具备根据选择输入来决定可否驱动所述高端MOSFET的第一开关电路，

针对每个所述低端MOSFET的栅极具备根据选择输入来决定可否驱动所述低端MOSFET的第二开关电路，

具备根据所述振荡输出而被驱动的CMOS反相器，

供给所述CMOS反相器的输出电压作为所述第一开关电路和所述第二开关电路中某一方的信号输入，供给所述振荡输出作为另一方的信号输入，

将构成根据所述选择输入而未被选择的MOSFET电路的高端MOSFET的输出和低端MOSFET的输出都控制为高阻抗。

7.根据权利要求6所述的振荡电路，其特征在于，

所述第一开关电路以及所述第二开关电路分别具有串联连接了开关电路用高端MOSFET和开关电路用低端MOSFET的结构。

8.根据权利要求7所述的振荡电路，其特征在于，

根据选择输入对所述开关电路用高端MOSFET以及所述开关电路用低端MOSFET进行栅极驱动，

所述CMOS反相器的输出电压或所述振荡输出被提供给所述开关电路用高端MOSFET。

9.根据权利要求6至8中任意一项所述的振荡电路，其特征在于，

供给通过所述恒压生成电路生成的恒定电压作为所述CMOS反相器的电源电压。

10.根据权利要求9所述的振荡电路，其特征在于，

所述恒压生成电路具备：

从直流电压生成预定的恒定电压的恒压源；以及

向漏极供给所述直流电压、向栅极供给所述预定的恒定电压的耗尽型N沟道MOSFET，

供给所述预定的恒定电压，作为所述CMOS反相器的电源电压，

供给所述耗尽型N沟道MOSFET的源极电压，作为所述多个MOSFET电路的电源电压。