[发明专利]对甲苯磺酸掺杂聚吡咯为基体的钯修饰电极的制备方法

权利要求书

1.对甲苯磺酸掺杂聚吡咯为基体的钯修饰电极的制备方法，其特征在于对甲苯磺酸掺杂聚吡咯为基体的钯修饰电极的制备方法如下：

一、对甲苯磺酸的吡咯溶液的配制：

将对甲苯磺酸与吡咯的摩尔比按照2∶1的比例混合，得到对甲苯磺酸的吡咯溶液；

二、对甲苯磺酸掺杂的聚吡咯层的制备：

以经过预处理的泡沫镍基体为阳极、铂片为阴极，在对甲苯磺酸的吡咯溶液中在恒电位为0.6V～0.7V、聚合温度为0℃的条件下聚合15min～20min，得到PPy_(PTS)/Ni电极；

三、将氯化钯与氯化钠按照1∶3的摩尔比加入到去离子水中，磁力搅拌8～10小时，制成混合溶液，混合溶液中氯化钯的浓度为0.8mmol/L～1.2mmol/L；

四、以PPy_(PTS)/Ni电极为阴极、铂片为阳极，在电流密度为0.8mA/cm²～1.1mA/cm²、沉积温度为35℃～42℃的条件下沉积100min～130min，得到对甲苯磺酸掺杂聚吡咯为基体的钯修饰电极。

2.根据权利要求1所述对甲苯磺酸掺杂聚吡咯为基体的钯修饰电极的制备方法，其特征在于步骤二中所述铂片的纯度为99.99％。

3.根据权利要求1或2所述对甲苯磺酸掺杂聚吡咯为基体的钯修饰电极的制备方法，其特征在于步骤二中恒电位为0.65V。

4.根据权利要求1或2所述对甲苯磺酸掺杂聚吡咯为基体的钯修饰电极的制备方法，其特征在于步骤二中聚合时间为18min。

5.根据权利要求1或2所述对甲苯磺酸掺杂聚吡咯为基体的钯修饰电极的制备方法，其特征在于步骤三混合溶液中氯化钯的浓度为0.9mmol/L～1.1mmol/L。

6.根据权利要求1或2所述对甲苯磺酸掺杂聚吡咯为基体的钯修饰电极的制备方法，其特征在于步骤三混合溶液中氯化钯的浓度为1mmol/L。

7.根据权利要求1或2所述对甲苯磺酸掺杂聚吡咯为基体的钯修饰电极的制备方法，其特征在于步骤四中电流密度为1mA/cm²。

8.根据权利要求1或2所述对甲苯磺酸掺杂聚吡咯为基体的钯修饰电极的制备方法，其特征在于步骤四中沉积温度为36℃～41℃。

9.根据权利要求1或2所述对甲苯磺酸掺杂聚吡咯为基体的钯修饰电极的制备方法，其特征在于步骤四中沉积温度为40℃。

10.根据权利要求1或2所述对甲苯磺酸掺杂聚吡咯为基体的钯修饰电极的制备方法，其特征在于步骤四中沉积时间为120min。