[发明专利]一种USB数据采集的方法、装置及系统有效

专利信息
申请号: 201210180922.6 申请日: 2012-06-04
公开(公告)号: CN103455452A 公开(公告)日: 2013-12-18
发明(设计)人: 王波 申请(专利权)人: 广州众诺电子科技有限公司
主分类号: G06F13/16 分类号: G06F13/16
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省广州市天河区龙口*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 usb 数据 采集 方法 装置 系统
【说明书】:

技术领域

发明涉及USB数据采集领域,具体涉及一种USB数据采集的方法、装置及系统。

背景技术

USB,是英文Universal Serial BUS(通用串行总线)的缩写,而其中文简称为“通串线,是一个外部总线标准,用于规范电脑与外部设备的连接和通讯。是应用在PC领域的接口技术。USB采用四线电缆,其中两根是用来传送数据的串行通道,另两根为下游(Downstream)设备提供电源,对于高速且需要高带宽的外设,USB以全速12Mbps的传输数据;对于低速外设,USB则以1.5Mbps的传输速率来传输数据。USB总线会根据外设情况在两种传输模式中自动地动态转换。USB是基于令牌的总线。类似于令牌环网络或FDDI基于令牌的总线。USB主控制器广播令牌,总线上设备检测令牌中的地址是否与自身相符,通过接收或发送数据给主机来响应。USB通过支持悬挂/恢复操作来管理USB总线电源。USB系统采用级联星型拓扑,该拓扑由三个基本部分组成:主机(Host),集线器(Hub)和功能设备。

现有很多成熟的USB数据采集系统方案,如简单的使用一个带有USB控制器的MCU即可完成USB数据采集,此方案虽然成本低廉结构简单,但由于MCU的内存较小,运行速度较慢,因此采集速度和传输都非常有限,很难应对高速的数据采集需求。较为常用的USB数据采集系统方案是FPGA芯片+USB控制器+SRAM的结构,其中:FPGA(Field-Programmable Gate Array),即现场可编程门阵列,它是在PAL、GAL、CPLD等可编程器件的基础上进一步发展的产物,它是作为专用集成电路(ASIC)领域中的一种半定制电路而出现的,既解决了定制电路的不足,又克服了原有可编程器件门电路数有限的缺点;SRAM是英文Static RAM的缩写,它是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。此方案可以实现高速的数据采集,但随着对存储深度要求的不断提高,SRAM的成本将以指数规律增长。

发明内容

为了解决以上的技术问题,本发明提供一种USB数据采集的方法、装置及系统。

本发明公开了一种USB数据采集的方法,包括:

S1.将不断采集到的数据存储于第一组SDRAM中;

S2.判断所述的第一组SDRAM是否存满,若是,进入步骤S3,若否,返回步骤S1;

S3.将所述的第一组SDRAM数据读回,同时,将不断采集到的新数据存储于第二组SDRAM中;

S4.判断所述的第二组SDRAM是否存满,若是,进入步骤S5,若否,返回步骤S3;

S5.将所述的第二组SDRAM数据读回。

在本发明所述的USB数据采集的方法中,所述的步骤S2及S3之间还包括步骤:S21.置位第一组SDRAM存满标志。

在本发明所述的USB数据采集的方法中,所述的步骤S3及S4之间还包括步骤:S31.清除第一组SDRAM存满标志。

在本发明所述的USB数据采集的方法中,所述的步骤S4及S5之间还包括步骤:S41.置位第二组SDRAM存满标志。

在本发明所述的USB数据采集的方法中,所述的步骤S5之后还包括步骤:S6.清除第二组SDRAM存满标志并返回步骤S1。

本发明公开了一种USB数据采集的装置,包括:

第一组SDRAM单元:用于将不断采集到的数据存储于第一组SDRAM中;

第一组SDRAM存满判断单元:与所述的第一组SDRAM单元相连,用于判断所述的第一组SDRAM是否存满;

第一组SDRAM数据读回及第二组SDRAM单元,与所述的第一组SDRAM存满判断单元相连,用于将所述的第一组SDRAM数据读回,同时,将不断采集到的新数据存储于第二组SDRAM中;

第二组SDRAM存满判断单元,与所述的第一组SDRAM读回及第二组SDRAM单元相连,用于判断所述的第二组SDRAM是否存满;

第二组SDRAM数据读回单元,与所述的第二组SDRAM存满判断单元相连,用于将所述的第二组SDRAM数据读回。

在本发明所述的USB数据采集的装置中,在所述的第一组SDRAM数据读回及第二组SDRAM单元及第一组SDRAM存满判断单元之间还存在第一组SDRAM置位单元,用于置位第一组SDRAM存满标志;在所述的第一组SDRAM数据读回及第二组SDRAM单元及第二组SDRAM存满判断单元之间还存在第一组SDRAM清位单元,用于清除第一组SDRAM存满标志。

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