[发明专利]磁传感器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210174051.7 申请日: 2012-05-30
公开(公告)号: CN102809732A 公开(公告)日: 2012-12-05
发明(设计)人: 古市乔干;与仓久则;矢野敏史 申请(专利权)人: 株式会社电装
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 徐殿军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 传感器 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种磁传感器装置的制造方法,

所述磁传感器装置具备:

具有一面(13、15、18)的基板(10、14、16);和

形成于所述基板(10、14、16)的一面(13、15、18)的上方的多个磁阻元件部(22),该磁阻元件部(22)具有磁化方向因外部磁场而变化的自由磁性层(22c)、和固定了磁化方向的钉扎磁性层(22a),

一个磁阻元件部(22)的所述钉扎磁性层(22a)的磁化方向,在与所述基板(10、14、16)的一面(13、15、18)平行的平面上,与其他磁阻元件部(22)的所述钉扎磁性层(22a)的磁化方向不同,

在向所述各磁阻元件部(22)施加外部磁场的情况下,根据所述各磁阻元件部(22)的电阻值的变化来检测物理量,

其特征在于,

准备所述基板(10、14、16),

在所述基板(10、14、16)的一面(13、15、18)的上方形成所述各磁阻元件部(22),

分别形成与所述各磁阻元件部(22)对应的加热器部(30),

在外部磁场方向被设定为所述平面上的第1方向的外部磁场中,配置形成有所述各磁阻元件部(22)的所述基板(10、14、16),通过加热与所述多个磁阻元件部(22)中的一部分对应的一部分加热器部(30),进行磁场中退火,从而将该一部分的磁阻元件部(22)的钉扎磁性层(22a)的磁化方向,充磁为所述第1方向,

在外部磁场方向被设定为所述平面上与第1方向不同的第2方向的外部磁场中,配置形成有所述各磁阻元件部(22)的所述基板(10、14、16),通过加热与不同于所述多个磁阻元件部(22)的一部分的另一部分对应的加热器部(30),进行磁场中退火,从而将该另一部分的磁阻元件部(22)的钉扎磁性层(22a)的磁化方向,充磁为所述第2方向。

2.根据权利要求1所述的磁传感器装置的制造方法,其特征在于,

在所述加热器部(30)的形成中,所述加热器部(30)分别形成在所述基板(10、14、16)的与所述各磁阻元件部(22)对应的位置上。

3.根据权利要求2所述的磁传感器装置的制造方法,其特征在于,

所述各磁阻元件部(22)的形成中,在所述基板(10、14、16)的一面(13、15、18)的上方形成所述各磁阻元件部(22),以使所述各磁阻元件部(22)分别位于所述加热器部(30)的上方。

4.根据权利要求2所述的磁传感器装置的制造方法,其特征在于,

在所述加热器部(30)的形成中,形成所述加热器部(30),以使所述基板(10、14、16)的一面(13、15、18)中的所述加热器部(30)的面积比所述磁阻元件部(22)大。

5.根据权利要求1所述的磁传感器装置的制造方法,其特征在于,

在所述各磁阻元件部(22)的形成中,在所述基板(10、14、16)中与所述多个磁阻元件部(22)中的一部分对应的一部分加热器部(30)、和与不同于所述多个磁阻元件部(22)的一部分的另一部分对应的另一部分加热器部(30)之间,形成沟槽(70)。

6.根据权利要求5所述的磁传感器装置的制造方法,其特征在于,

在所述各磁阻元件部(22)的形成中,以包围所述加热器部(30)的方式在所述基板(10、14、16)形成所述沟槽(70)。

7.根据权利要求5所述的磁传感器装置的制造方法,其特征在于,

在所述各磁阻元件部(22)的形成中,在形成所述沟槽(70)后,由绝缘体(71)填埋所述沟槽(70)。

8.根据权利要求1所述的磁传感器装置的制造方法,其特征在于,

在所述加热器部(30)的形成中,在所述多个磁阻元件部(22)中的一部分形成共用的加热器部(30),并且,在与所述多个磁阻元件部(22)的一部分不同的另一部分形成其他的共用的加热器部(30)。

9.根据权利要求2所述的磁传感器装置的制造方法,其特征在于,

在所述加热器部(30)的形成中,以包围所述磁阻元件部(22)的方式对每个所述磁阻元件部(22)形成所述加热器部(30)。

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