[发明专利]一种低压差线性稳压器有效

专利信息
申请号: 201210168807.7 申请日: 2012-05-28
公开(公告)号: CN102722207A 公开(公告)日: 2012-10-10
发明(设计)人: 陶云彬 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 广州三环专利代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;熊永强
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 低压 线性 稳压器
【权利要求书】:

1.一种低压差线性稳压器,包括运算放大器、第一MOS管、第一反馈电阻及第二反馈电阻,所述运算放大器的反向输入端接基准电压,输出端接所述第一MOS管的栅极,所述第一MOS管的源极接电压输入端,漏极接电压输出端及所述第二反馈电阻,所述第一反馈电阻与所述第二反馈电阻串联后的公共节点接所述运算放大器的同相输入端,所述第一反馈电阻接地,其特征在于,所述低压差线性稳压器还包括极点电路,所述极点电路连接在所述运算放大器及电压输出端之间,用于降低电压输入端到电压输出端的信号通路上的高频增益,提高所述低压差线性稳压器高频时的电源抑制比性能。

2.如权利要求1所述的低压差线性稳压器,其特征在于,所述极点电路包括补偿电容及放大器,所述补偿电容一端接所述运算放大器,另一端接所述放大器的输出端,所述放大器的输入端接所述低压差线性稳压器的电压输出端。

3.如权利要求1或2所述的低压差线性稳压器,其特征在于,所述运算放大器包括第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管及第十二MOS管,所述第二MOS管的栅极接基准电压,源极分别连接到所述第十二MOS管的源极与所述第十一MOS管的漏极,所述第二MOS管的漏极分别连接到所述第九MOS管的源极与所述第十MOS管的漏极,所述第十一MOS管的源极接地,栅极接第一偏置电压,所述第十二MOS管的漏极分别连接到所述第七MOS管的源极与所述第八MOS管的漏极,栅极接所述第一反馈电阻及第二反馈电阻串联后的公共节点,所述第七MOS管的漏极接所述第五MOS管的漏极,栅极接第三偏置电压,所述第八MOS管的源极接电压输入端,栅极分别连接到所述第十MOS管的栅极与所述第七MOS管的漏极,所述第五MOS管的栅极接第二偏置电压,源极接所述第六MOS管的漏极,所述第六MOS管的栅极接第一偏置电压,源极接地,所述第十MOS管的源极接电压输入端,漏极接所述第九MOS管的源极,所述第九MOS管的栅极接第三偏置电压,漏极接所述第三MOS管的漏极,所述第三MOS管的栅极接第二偏置电压,源极接所述第四MOS管的漏极,所述第四MOS管的栅极接第一偏置电压,源极接地,所述第一MOS管的栅极分别连接到所述第三MOS管的漏极与所述第九MOS管的漏极。

4.如权利要求3所述的低压差线性稳压器,其特征在于,所述补偿电容的一端分别连接到所述第三MOS管的源极与所述第四MOS管的漏极。

5.如权利要求3所述的低压差线性稳压器,其特征在于,所述补偿电容的一端分别连接到所述第九MOS管的源极与所述第十MOS管的漏极。

6.如权利要求3-5任一项所述的低压差线性稳压器,其特征在于,所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第十一MOS管及第十二MOS管均为PMOS管,所述第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管及第十MOS管均为NMOS管。

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