[发明专利]一种基于表面等离子体的波导光耦合器及其制备工艺有效
| 申请号： | 201210168742.6 | 申请日： | 2012-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN102650711A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 杨树明;韩枫;李磊;张坤;胡庆杰;蒋庄德 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G02B6/132 | 分类号： | G02B6/132;C23C14/35;C23C14/08;C23C14/18;C23C14/58 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 表面 等离子体 波导 耦合器 及其 制备 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于表面等离子体的波导光耦合器的波导层制备方法，其特征在于，包括如下步骤：首先在硅(Si)基底(1)上通过射频磁控溅射工艺沉积金属氧化物薄膜(2)，其后通过气相沉积工艺对薄膜在大气气氛下进行热处理，保温后，再通过直流磁控溅射工艺沉积金属银(Ag)颗粒(3)。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：由溅射时间来控制Ag颗粒(3)的形貌和厚度。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述基底为Si基底。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：金属氧化物薄膜(2)的溅射功率为150W，转速为15r/min，溅射时间为7min，薄膜的厚度为40nm。
5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：Ag颗粒(3)溅射电流为0.3A，溅射时间为30s。
6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述金属氧化物薄膜为ZnO薄膜。
7.一种基于表面等离子体的波导光耦合器，其特征在于：包括基底和波导层，波导层由半导体薄膜及其上的金属颗粒组成。
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