[发明专利]绝缘子RTV涂层老化的判断方法无效

专利信息
申请号: 201210168082.1 申请日: 2012-05-25
公开(公告)号: CN102680559A 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: 屠幼萍;王景春;丁立健;陈聪慧;张辉;陈静静;王璁 申请(专利权)人: 华北电力大学
主分类号: G01N27/60 分类号: G01N27/60
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 吴贵明;余刚
地址: 102206 北京市昌平区*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 绝缘子 rtv 涂层 老化 判断 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及电力设备领域,具体而言,涉及一种绝缘子RTV涂层老化的判断方法。

背景技术

室温硫化硅橡胶(Room Temperature Vulcanized,RTV)凭借良好的憎水性和憎水迁移性使其具有优良的防污闪性能和众多特性,成为电力系统解决户外瓷绝缘设备污闪问题的解决方案,其在传统瓷绝缘子应用为:在瓷绝缘子的表面加工有一定厚度的室温硫化硅橡胶涂层,利用室温硫化硅橡胶涂层的憎水性提高绝缘子整体的防污闪性能。但是RTV涂层在户外受气候条件的浸蚀,以及强电磁场环境的影响,防污闪能力就会慢慢的减弱。

RTV涂料老化的主要因素包括表面放电(电晕放电和电弧放电)、潮湿、紫外线、温度及污秽等。涂料的老化导致绝缘子功能和性能的退化,严重时甚至会导致高压线路的故障。RTV涂料老化的一个主要表现是其表面憎水性的丧失。

目前判断绝缘子憎水性的主要方法是喷水分级法(Hydrophobcity Classification,HC分级法)。HC喷水分级法主要是利用判定涂层表面的憎水性状态来判断涂层老化程度,这种方法是将RTV涂层的表面憎水性分成HC1~HC7共7个等级,通过对运行状态下的绝缘子涂层表面进行喷水后的状态进行拍摄,将拍摄图像中的倾斜涂层表面水滴的后退角和水膜的覆盖面积与标准图像进行对比,将最接近的标准图像等级作为RTV涂层的表面憎水性等级。但是这种判断方法主观依赖性较大,准确度不高,同时图像中水迹的选择、拍摄角度、拍摄距离、试样选区形状及大小等因素均会影响憎水性的判断结果,而且测试时的环境温度、选取的测试面、季节等因素也都会对憎水性分级产生影响。

针对现有技术中存在的绝缘子RTV涂层老化的判断方法准确度不高的问题,目前尚未提出有效的解决方案。

发明内容

本发明旨在提供一种绝缘子RTV涂层老化的判断方法,以解决现有技术中绝缘子RTV涂层老化的判断方法准确度不高的问题。

为了实现上述目的,根据本发明的一个方面,提供了一种绝缘子RTV涂层老化的判断方法,该判断方法包括:对绝缘子RTV涂层进行取样得到试片;对试片进行热刺激电流TSC试验;通过试验得到的TSC曲线计算试片的陷阱电荷量和陷阱能级;根据试片的陷阱电荷量和陷阱能级判断RTV涂层的老化程度。

进一步地,对绝缘子RTV涂层进行取样得到试片之前还包括:对已知老化程度的RTV涂层进行TSC试验,通过试验得到的TSC曲线计算标准陷阱电荷量和标准陷阱能级,根据试片的陷阱电荷量和陷阱能级判断RTV涂层的老化程度包括:将试片的陷阱电荷量和陷阱能级与标准陷阱电荷量和标准陷阱能级进行比较;根据比较结果得出试片的老化程度;利用试片的老化程度确定RTV涂层的老化程度。

进一步地,对已知老化程度的RTV涂层进行TSC试验,通过试验得到的TSC曲线计算标准陷阱电荷量和标准陷阱能级包括:对多种规格的已知老化程度的RTV涂层分别进行TSC试验;通过试验得到的TSC曲线分别计算各规格RTV涂层的标准陷阱电荷量的数据和标准陷阱能级的数据;按照RTV涂层的规格分别保存该规格对应的标准陷阱电荷量和标准陷阱能级,将试片的陷阱电荷量和陷阱能级与标准陷阱电荷量和标准陷阱能级进行比较包括:根据取样的RTV涂层的规格从保存的标准陷阱电荷量的数据和标准陷阱能级的数据中确定该RTV涂层规格对应的标准陷阱电荷量和标准陷阱能级;将试片的陷阱电荷量和陷阱能级与取样的RTV涂层的规格对应的标准陷阱电荷量和标准陷阱能级进行比较。

进一步地,已知老化程度的RTV涂层为未老化的RTV涂层。或者已知老化程度的RTV涂层为已经完全老化的RTV涂层。

进一步地,对绝缘子RTV涂层进行取样得到试片包括:对绝缘子不同位置的RTV涂层进行取样得到试片。

进一步地,对绝缘子不同位置的RTV涂层进行取样得到试片包括:将绝缘子的伞裙沿半径划分为面积相等的扇形区域;在每个扇形区域内的上下表面的一个或多个位置对RTV涂层进行取样得到试片。

进一步地,根据试片的陷阱电荷量和陷阱能级判断RTV涂层的老化程度之后还包括:记录试片在绝缘子上的取样位置、试片的陷阱电荷量和陷阱能级、以及试片取样的绝缘子的运行环境、运行年限。

进一步地,进行TSC试验的极化温度范围取50℃至65℃;极化电场强度范围取6kV/mm至8kV/mm;极化时间取20min至30min;冷却温度范围取-80℃至-90℃;升温速率范围取2℃/min至3℃/min。

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