[发明专利]一种硅片检测仪无效

专利信息
申请号: 201210164856.3 申请日: 2012-05-24
公开(公告)号: CN102680322A 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: 史志和;王康;张凯 申请(专利权)人: 天津英利新能源有限公司
主分类号: G01N3/08 分类号: G01N3/08;G01B5/30
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 魏晓波
地址: 301510 天津市滨海新区津汉公*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 硅片 检测
【说明书】:

技术领域

发明涉及硅片检测领域,特别是涉及一种硅片检测仪。

背景技术

硅是一种非金属半导体材料,是太阳能电池片的主要原材料,也用于制作半导体器件和集成电路。随着光伏行业的发展,用于制作太阳能电池的硅片厚度越来越薄,对其机械物理性能的要求也越来越高。

硅片通常由硅锭切割获得,硅锭由硅料定向凝固而成,通常将硅料在铸锭炉中融化,经一系列工序生成硅锭,然后再使用破锭机对硅锭进行切割加工得到硅块,最后使用切片机器对硅块进行切片加工得到硅片。

不同的工艺生产的硅锭,力学性能不同,内部的应力分布也不相同,如果硅锭内部存在应力集中,当硅锭加工成硅片时,硅锭应力集中较大的部位切割成的硅片韧性较差,在对硅片的后续加工中,韧性较差的硅片很容易破碎,从而影响后续加工。

所以,在硅片的进一步加工前,对硅片的力学性能进行检测,挑选出不合格的硅片,减小了硅片在后续加工中破碎的几率。

目前一种典型的测试硅片抗弯强度的装置包括:控制单元;与控制单元相连的驱动电机;与驱动电机相连的推力计,所述推力计连接测试头安装杆;设置在所述测试头安装杆上的上压球头;位于所述上压球头下方的底支撑圆盘;设置在所述底支撑圆盘上用于支撑硅片的下支撑球头和用于防止硅片倾斜的导向定位柱。

此装置,能够测试硅片的抗弯强度、最大破碎力及最大变形位移。但是,此装置结构复杂,成本昂贵,对操作者的技术要求较高,不适用生产一线。

因此,本领域技术人员迫切需要一种结构简单操作方便,适用于生产一线的硅片检测装置。

发明内容

本发明的目的是提供一种硅片检测仪,该硅片检测仪结构简单操作方便适用于生产一线。

为了实现上述技术目的,本发明提供了一种硅片检测仪,包括支撑体、千分表和砝码;所述支撑体具有支撑面水平的支撑件,所述支撑件支撑待测硅片的周部;所述支撑件的外侧具有定位件,所述定位件的内侧接触所述待测硅片,所述待测硅片每边接触至少一个所述定位件;所述千分表位于所述支撑体内部,所述千分表指针的中心线穿过所述待测硅片的几何中心;所述砝码的组合能够组成预定的重量,并放置在所述待测硅片的中央。

优选地,所述支撑件为至少三个支撑柱,所述支撑柱均匀分布在所述待测硅片的周部。

优选地,所述支撑件设置为四个所述支撑柱,四个所述支撑柱分别位于所述待测硅片的四角。

优选地,所述待测硅片每边接触两个所述定位件,所述待测硅片每条边外侧的两个所述定位件均位于此边的两端。

优选地,所述定位件为定位块,相邻侧面的所述定位块的内侧构成直角结构。

优选地,所述定位件为定位柱。

优选地,所述支撑柱的支撑端为球面。

优选地,所述支撑柱的支撑端为平面。

优选地,所述支撑件为支撑框架,所述定位件为定位框架。

优选地,所述支撑框架与所述定位框架为一体结构。

本发明提供的硅片检测仪,包括支撑体、千分表和砝码;支撑体具有支撑面水平的支撑件,支撑件支撑待测硅片的周部;支撑件的外侧具有定位件,定位件的内侧接触待测硅片,待测硅片每边接触至少一个定位件;千分表位于支撑体内部,千分表指针的中心线穿过待测硅片的几何中心;砝码的组合能够组成预定的重量,并放置在待测硅片的中央。

硅片检测仪检测硅片时,硅片放置在支撑件上,由定位件定位防止滑落,千分表的触点抵顶硅片的中央,调零千分表,将预定重量的砝码放置在硅片的中央,此时,千分表的读数能够反映硅片中央的实际变形量,如果此实际变形量大于合格变形量的最小值,则此硅片合格。此硅片检测仪结构简单操作方便,与现有技术相比,更适用于生产一线。

硅片的合格变形量可以通过检测获得,先取一组预定重量较小的砝码检测硅片的变形量,然后逐渐增加砝码的重量并记录硅片的变形量,可以得到硅片的应力应变曲线,通过检测几组硅片,即可分析得出施加一定重量的砝码所对应的硅片的应变范围,应变范围乘以安全系数即得出合格变形量。

千分表调零前,要有一定的读数,可以说明千分表的触点与硅片的接触无缝隙,能够减小硅片应变的检测误差。

砝码包括若干各种重量的砝码,砝码组合能够获得任何预定重量。

一种方式中,所述支撑件为至少三个支撑柱,所述支撑柱均匀分布在所述待测硅片的周部。

支撑件由支撑柱构成时,至少三个支撑柱可以满足对硅片的水平支撑。检测硅片时,砝码通常放置在硅片的中央,支撑柱均匀的分布在硅片的周部时,检测应变的效果最佳。

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