[发明专利]减少电路寄生电阻的结构和方法

权利要求书

1.减少电路寄生电阻的结构，包括有源区、栅极和锯齿状通孔链，其特点在于，所述锯齿状通孔链为锯齿状，所述锯齿状通孔链位于两个相邻的并联场效应晶体管之间，所述锯齿状通孔链中任意一个通孔与邻近的其中一个栅之间的距离为设计规则最小值，所述锯齿状通孔链中距离最近的两个通孔间的最小距离为设计规则最小值。

2.如权利要求1所述的一种减少电路寄生电阻的结构，其特征在于，所述锯齿状通孔链为锯齿状。

3.如权利要求1所述的一种减少电路寄生电阻的结构，其特征在于，所述锯齿状通孔链位于两个相邻的并联场效应晶体管之间，通孔链将所述相邻的两个场效应晶体管的源端或漏端引出去。

4.如权利要求1所述的一种减少电路寄生电阻的结构，其特征在于，  所述锯齿状通孔链中任意一个通孔与邻近的其中一个栅之间的距离为设计规则最小值。

5.如权利要求1所述的一种减少电路寄生电阻的结构，其特征在于，所述锯齿状通孔链中距离最近的两个通孔之间的最小距离为设计规则最小值。

6.减少电路寄生电阻的方法，包括：

绘制两个并联的场效应晶体管；绘制锯齿状通孔链，具体的，先绘制一个通孔，并且该通孔和距离最近的栅、场隔离区之间的距离为设计规则最小值；然后再绘制与第一个通孔距离满足设计规则最小值、并和另一个栅距离满足设计规则最小值的通孔；然后以此类推，绘制完成整个锯齿状通孔链；

另一种方法：绘制两个并联的场效应晶体管；绘制一行/列通孔链，其中靠近有源区的通孔和有源区的距离为设计规则最小值，所述绘制的一行/列通孔链中的任意一个通孔和其中一个多晶硅栅的距离为设计规则最小值；所绘制的一行/列中任意两个临近通孔的距离为通孔的尺寸与两倍107在水平/垂直的距离之和；根据距离107绘制另一行/列通孔链；所述两个绘制的通孔链中的通孔以及通孔之间的尺寸相同；绘制完成整个锯齿状通孔链。

7.如权利要求1~6所述的减少电路寄生电阻的结构和方法可用于标准单元库的构建以及模拟电路设计中，具体的，适用于两个并联晶体管之间的有源区尺寸不足以画两排镜像通孔链的状况。