[发明专利]滤波范围430～630nm的无掺杂层光子晶体光学滤波器及其制作方法

权利要求书

1.滤波范围430~630nm的无掺杂层光子晶体光学滤波器，其特征在于：滤波器包括光子晶体层（1）和镜头玻璃（2），光晶晶体层（1）设置在镜头玻璃（2）表面，光子晶体层（1）由10层A介质层和10层B介质层相互交替叠加构成（AB）₅（BA）₅型复合结构，所述的A为砷化镓,B为二氧化硅,其中（AB）₅表示5层A介质和B介质交替叠加构成的复合介质层，其中A介质层的厚度为38.118nm，B介质层的厚度为59.9nm，该复合介质层设置在光子晶体层（1）的内侧，并与镜头玻璃连接；其中（AB）₅表示5层A介质和B介质交替叠加构成的复合介质层，其中A介质层的厚度为38.118nm，B介质层的厚度为59.9nm，该复合介质层设置在光子晶体层（2）外侧。

2.如权利要求1所述的滤波范围430~630nm的无掺杂层光子晶体光学滤波器，其特征在于：所述的A介质层的折射率为                                                ，B介质层的折射率为，A介质层的厚度为,B介质层的厚度为，中心波长取532nm。

3.如权利要求1所述的滤波范围430~630nm的无掺杂层光子晶体光学滤波器的制作方法，其特征在于：

步骤一、取一个镜头玻璃作为基板，将基板双面抛光，备用；

步骤二、将加工好的基板表面进行清洁化处理，采用酸性清洗液和去离子水分别清洗基板，然后将基板置于热板上烘干，温度65°，时间10分钟；

步骤三、将基板放入真空镀膜机中，在其一个表面上进行A介质的镀膜，砷化镓折射率，中心波长取532nm时，其镀膜厚度为，即38.118nm，镀膜后干燥冷却30分钟，然后在基板镀有A介质膜层的表面进行B介质的镀膜，二氧化硅的折射率，中心波长取532nm时，其镀膜厚度为，即59.9nm，镀膜后干燥冷却30分钟；

步骤四、按照步骤三的方法交替进行A介质和B介质镀膜，直至镀好4层A介质膜层和4层B介质膜层，在基板上形成结构为的光子晶体复合镀膜层；

步骤五、在光子晶体结构已经镀膜为的基板结构上继续进行A介质砷化镓的镀膜，厚度为38.118nm，干燥冷却30分钟，在基板上形成结构为的光子晶体复合镀膜层；

步骤六、在基板上光子晶体结构已经镀膜为的结构上进行B介质二氧化硅的镀膜，厚度为119.8nm，在基板上形成结构为的光子晶体复合镀膜层；

步骤七、按照步骤三的方法交替进行A介质和B介质镀膜，直至镀好5层A介质膜层和4层B介质膜层，在基板上形成结构为的光子晶体复合镀膜层，制得表面设有光子晶体结构的滤波器。