[发明专利]一种触摸屏金属剥离制程工艺

说明书

技术领域

本发明涉及触摸屏金属剥离制程工艺。

背景技术

目前触摸屏应用范围已变得越来越广泛，触摸屏作为一种新的人机交互设备，正受到越来越多的用户和开发商的关注，并成为目前最简单、最方便的输入设备。但触摸屏生产控制制程是最关键所在，光刻（Photo）黄光制程的金属剥离制程（Metal stripping）一般使用NMP （N-甲基吡咯烷酮）作为剥离液，由于光阻中主要成分为树脂，有机溶剂和感光剂，使得成分有机剥膜液对光阻溶解比较快，容易使PI（绝缘层）膨胀变形及攻击Metal（金属MO/AL/MO），具体的说，光阻在硬烤过程中有机溶剂会挥发并固化，但是固化后的光阻仍然会吸收NMP有机溶剂，并发生膨胀变形，随着浸泡时间增加，光阻会被逐步溶解，因此会导致上面的跳跃金属（Metal Jumper）因位移变化而断裂，形成断裂，致使生产合格率降低。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是实现触摸屏在光刻金属剥离制程生产过程中能有效降低跳跃金属断裂的制程工艺。

为了实现上述目的，本发明采用的技术方案为：一种触摸屏金属剥离制程工艺，剥膜设备采用 TMAH2.38%（显影液，质量比为2.38%的氢氧化四钾铵水溶液）作为剥离液喷淋，并由小车承载触摸屏进入剥膜设备中进行金属剥离制程。

所述的剥膜设备入口处设有UV灯，灯对进入剥离设备的触摸屏的光刻胶面进行照射。

所述的UV灯辐射能为500mj/ cm²，功率为4KW。

所述的小车速度为2.0-3.0m/min.，剥离液温度为22-26℃。

本发明的优点在于使用UV灯配合TMAH2.38%的方式进行光刻金属剥离时，可将光阻有效去除，可减少低温ITO的跳跃金属导体断裂，提高产品合格率。

附图说明

下面对本发明说明书中每幅附图表达的内容及图中的标记作简要说明：

图1为金属剥离制程工艺流程示意图；

图2-5为NMP和TMAH2.38%对PI的膨胀性对比测试线性图；

上述图中的标记均为：1、剥离设备；2、UV灯；3、ITO玻璃；4光刻胶。

具体实施方式

触摸屏制造流程依次经过：来料、清洗、涂布、软烤、曝光、显影、硬烤、蚀刻、剥膜，本发明主要针对最后一步剥膜工艺的改进，参见图1可知，将剥离设备1的剥离液NMP替换成TMAH2.38%，同时在剥膜设备入口处增设UV灯2，小车承载触摸屏光刻胶4层朝上，ITO玻璃朝3下，以2.0-3.0m/min.速度经由设有UV灯2剥离设备1入口穿过该设备，TMAH2.38%由剥离设备1的线形喷淋口均匀喷淋在触摸屏表面，其中UV灯2起到劣化光刻胶4的作用。小车速度优选2.5 m/min.，剥离液温度优选24℃，UV灯2以辐射能为500mj/ cm²，功率为4KW照射时效果最佳，无光阻残留。

参见图2-5，采取验证可行性相应的技术手段，对NMP和TMAH2.38%对PI的膨胀性对比，PI 硬烤后用NMP剥离 ，1次剥离制程后PI膜厚可增加6%，随着剥离制程次数增多，膜厚逐渐降低，这对跳跃金属（Metal Jumper）危害很大，然而使用高浓度TMAH 剥离制程，1次剥离制程后PI膜厚几乎没有变化。

TMAH是有机强碱，对金属具有一定的腐蚀性，如果长时间高浓度浸泡对金属影响较大，通过实验测得，仅用 TMAH剥膜1次，受腐蚀程度较轻微。使用TMAH2.38%剥离后，成品触摸屏强光灯检验：无剥膜脏污，金属微粒有一定颜色差异，在2D 下检验：金属微粒有锯齿或者白边，metal jumper 有白边，但不影响外观，

下表为使用NMP剥离后PBT&VMI结果：

下表为使用TMAH2.38%剥离后PBT&VMI结果：

综上实验结果可知，使用UV灯2与TMAH2.38%显影液代替NMP进行剥离，可将光阻有效去除，金属会被TMAH攻击，约有1um的白边或锯齿状况，此异常在VMI检判定为合格，PBT裂开有较明显改善，也未发现跳跃金属有断开的现象。

上面结合附图对本发明进行了示例性描述，显然本发明具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进，或未经改进将本发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围之内。