[发明专利]应用于集成电路的温度补偿电流基准电路

权利要求书

1.应用于集成电路的温度补偿电流基准电路，其特征是，包括：第六晶体管（MP1）、第七晶体管（MP2）、第八晶体管（MP3）是相互匹配的电流镜，电流镜比例是1:1:1；第九晶体管（MN1）、第十晶体管（MN2）是相互匹配的电流镜，电流镜比例是1:1；第六晶体管（MP1）发射极、第七晶体管（MP2）发射极、第八晶体管（MP3）发射极均接高电平（VDD），第六晶体管（MP1）基极、第七晶体管（MP2）基极和集电极、第八晶体管（MP3）基极相连，第六晶体管（MP1）集电极连接第一晶体管（Q1）集电极，第一晶体管（Q1）基极连接自身集电极，并连接第二晶体管（Q1）基极，第二晶体管（Q2）集电极接第七晶体管（MP2）集电极，第八晶体管（MP3）集电极连接第三晶体管（Q3）集电极和第五晶体管（Q5）基极，第五晶体管（Q5）集电极接高电平（VDD），第五晶体管（Q5）发射极连接第三晶体管（Q3）基极和第四晶体管（Q4）基极，第三晶体管（Q3）基极和发射极之间连接第二电阻（R2），第三晶体管（Q3）发射极连接第九晶体管（MN1）集电极，第九晶体管（MN1）基极与自身集电极相连，并连接第十晶体管（MN2）基极，第十晶体管（MN2）集电极连接第四晶体管（Q4）发射极，第四晶体管（Q4）集电极产生温度补偿基准电流（IREF）；第一晶体管（Q1）发射极、第九晶体管（MN1）发射极、第十晶体管（MN2）发射极接地，第二晶体管（Q2）通过第一电阻（R1）接地。

2.如权利要求1所述应用于集成电路的温度补偿电流基准电路，其特征是，所述第六晶体管（MP1）、第七晶体管（MP2）、第八晶体管（MP3）采用PMOS晶体管或PNP三极管。

3.如权利要求1所述应用于集成电路的温度补偿电流基准电路，其特征是，所述第一晶体管（Q1）和第二晶体管（Q2）是相互匹配的NPN三极管，其中第二晶体管（Q2）的发射极面积是第一晶体管（Q1）的8倍。

4.如权利要求1所述应用于集成电路的温度补偿电流基准电路，其特征是，所述第三晶体管（Q3）和第四晶体管（Q4）相互匹配，发射极面积比例是1:1。

5.如权利要求1所述应用于集成电路的温度补偿电流基准电路，其特征是，所述第九晶体管（MN1）、第十晶体管（MN2）是相互匹配的电流镜，电流镜比例是1:1，第九晶体管（MN1）、第十晶体管（MN2）采用NMOS晶体管或NPN三极管。

6.如权利要求1所述应用于集成电路的温度补偿电流基准电路，其特征是，所述第一电阻（R1）采用高值多晶电阻，第二电阻（R2）采用P型离子注入电阻。