[发明专利]一种存储器的擦除/编程方法及装置

说明书

技术领域

本申请涉及存储器技术领域，特别是涉及一种存储器的擦除/编程方法及装置。

背景技术

目前存储器技术正向提高集成度和缩小元件尺寸的方向发展，在使用存储器时，经常要对存储器进行保存和删除信息的操作，存储器中存在着两种基本存储单元，erase cell(擦除单元)和program cell(编程单元)，也即“1”和“0”，因此对应也就存在着擦除和编程这两种存储单元的基本操作。存储器的存储能力、功耗以及可靠性，还有擦除和编程的速度都是衡量存储器好坏的重要指标。

现有技术中，存储器的擦除和编程方法是以恒定强度的脉冲对存储单元进行擦除和编程的循环操作，通过恒定强度的脉冲数量的不断积累，最终实现对存储器的擦除和编程操作。这种方法需要大量的脉冲数量，擦除和编程操作的时间长，导致整个擦除和编程的速度慢。

发明内容

本申请所要解决的技术问题是提供一种存储器的擦除/编程方法及装置，以解决传统的存储器的擦除/编程速度慢的问题。

为了解决上述问题，本申请公开了一种存储器的擦除/编程方法，包括：

对存储单元依次进行擦除/编程操作和擦除/编程验证；

如果所述擦除/编程验证未通过，则继续进行擦除/编程和擦除/编程验证的循环操作；

当擦除/编程的累计次数达到预设的第n级数量并且擦除/编程验证仍未通过时，按照第n级设定的强度调整擦除/编程的强度，并继续进行擦除/编程和擦除/编程验证的循环操作；其中，n＝1、2、3、…、N，N为自然数；

当擦除/编程验证通过或者擦除/编程的累计次数达到预设的最大数量时，跳出循环。

优选的，所述调整擦除/编程的强度为增加施加在存储单元上的脉冲电压。

优选的，所述对存储单元进行擦除/编程操作，包括：

当一个擦除/编程脉冲到来时，对存储单元进行一次擦除/编程操作。

优选的，通过以下方式判断擦除/编程的累计次数是否达到预设的第n级数量：

统计擦除/编程脉冲的数量；

当擦除/编程脉冲的数量达到预设的第n级数量时，判定所述擦除/编程的累计次数达到了预设的第n级数量。

优选的，当n取值为1时，所述第n级数量为16；

当n取值为2时，所述第n级数量为32。

优选的，如果是擦除操作，则：

进行所述擦除操作之前，还包括预编程操作；

所述擦除操作与擦除验证之间，还包括第一过擦除验证；

所述跳出循环后，还包括第二过擦除验证。

优选的，如果是编程操作，则：

进行所述编程操作之前，还包括编程验证。

本申请还公开了一种存储器的擦除/编程装置，包括：

擦除/编程模块和擦除/编程验证模块，分别用于对存储单元依次进行擦除/编程操作和擦除/编程验证；如果所述擦除/编程验证未通过，则继续进行擦除/编程和擦除/编程验证的循环操作；

擦除/编程强度调整模块，用于当擦除/编程的累计次数达到预设的第n级数量并且擦除/编程验证仍未通过时，按照第n级设定的强度调整擦除/编程的强度，并继续进行擦除/编程和擦除/编程验证的循环操作；其中，n＝1、2、3、…、N，N为自然数；

当擦除/编程验证通过或者擦除/编程的累计次数达到预设的最大数量时，跳出循环。

优选的，所述擦除/编程强度调整模块调整擦除/编程的强度为增加施加在存储单元上的脉冲电压。

优选的，当一个擦除/编程脉冲到来时，所述擦除/编程模块对存储单元进行一次擦除/编程操作；

所述擦除/编程强度调整模块包括：

统计子模块，用于统计擦除/编程脉冲的数量；

判定子模块，用于当擦除/编程脉冲的数量达到预设的第n级数量时，判定所述擦除/编程的累计次数达到了预设的第n级数量。

优选的，如果是擦除操作，则所述装置还包括：

预编程模块，用于在所述擦除模块进行所述擦除操作之前，进行预编程操作；

第一过擦除验证模块，用于在所述擦除模块和擦除验证模块进行所述擦除操作与擦除验证之间，进行第一过擦除验证；

第二过擦除验证模块，用于在所述擦除强度调整模块在跳出循环后，进行第二过擦除验证。

优选的，如果是编程操作，则：

所述编程验证模块还用于在所述编程模块在进行所述编程操作之前，进行编程验证。

与现有技术相比，本申请包括以下优点：