[发明专利]一种太阳能级硅片的清洗方法无效
| 申请号： | 201210140669.1 | 申请日： | 2012-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN102698983A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 陈雪 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/12 | 分类号： | B08B3/12;H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 太阳 能级 硅片 清洗 方法 | ||
1.一种太阳能级硅片的清洗方法，其特征是:具有以下步骤：a、将切片机切割下来的硅片用水冲洗后插入片盒内；b、将插片后的硅片放入异丙醇和丙酮混合的溶剂中进行兆声清洗，兆声波频率为600～1000kHz，异丙醇与丙酮的体积比为1∶1～10，清洗温度为20～50℃，清洗时间为1～100min；c、将经过步骤b清洗后的硅片放入水中进行兆声清洗,兆声波频率在500-800kHz，清洗温度为40～90℃，清洗时间3-20min；d、将经过步骤c清洗后的硅片放入HF/H2O2/H2O混合物负压酸雾反应腔，进行酸雾反应以去除硅片表面氧化层和金属沾污物，所述反应腔内的压力为10～800mbr,流量为20～100lpm,温度为50～500℃，HF/H2O2/H2O的质量比为1∶1∶5～100；e、将酸雾反应后的硅片在常压下进行水喷淋冲洗，清除硅片表面酸液，烘干后即得到超净硅片。
2.根据权利要求1所述的一种太阳能级硅片的清洗方法，其特征是：所述的步骤b中，异丙醇与丙酮的体积比为1∶1，兆声波频率在800kHz，清洗温度为30℃，清洗时间为30min；步骤c中，兆声波频率为800kHz，清洗温度为80℃，清洗时间3min；步骤d中，反应腔内的压力为10mbr,流量为40lpm,HF/H2O2/H2O的质量比为1∶1∶20。
3.根据权利要求1所述的一种太阳能级硅片的清洗方法，其特征是：所述的步骤b中，异丙醇与丙酮的体积比为1∶3，兆声波频率在1000kHz，清洗温度为40℃，清洗时间为15min；步骤c中，兆声波频率为500kHz，清洗温度为50℃，清洗时间10min；步骤d中，反应腔内的压力为400mbr,流量为20lpm,HF/H2O2/H2O的质量比为1∶1∶10。
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