[发明专利]电子部件

说明书

技术领域

本发明涉及电子部件，尤其涉及具有含Sn的镀Sn皮膜的例如层叠陶瓷电容器等电子部件。

背景技术

作为成为本发明的背景的技术，例如在国际公开第2006/134665号中公开了形成有以Sn作为主要成分的皮膜的构件、皮膜形成方法及焊料处理方法(参照专利文献1)。

从近年的环境保护的观点出发，若在连接器用端子、半导体集成电路用的引线框等上通过不含Pb的以Sn作为主要成分的金属镀覆来代替以往实施的Sn-Pb镀焊而形成皮膜，则在皮膜上容易产生被称为晶须的Sn的须状晶体。若晶须产生并生长，则有时在邻接的电极间引起电短路故障。此外，若晶须从皮膜脱离并飞散，则飞散的晶须成为在装置内外引起短路的原因。

就专利文献1中公开的技术而言，其目的在于提供能够抑制这样的晶须的产生的具有皮膜的构件，特别是在以Sn作为主要成分的皮膜中，在Sn的晶界中形成Sn与Ni等第1金属的金属间化合物层。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2006/134665号

发明内容

发明所要解决的问题

然而，就专利文献1中公开的皮膜而言，当进行被视为业界的标准的JEDEC规格所规定的以下所示的热冲击试验时，无法达到Class 2的判定基准。

热冲击试验

·试样数目(n个)：3批×6个/批＝1 8个

·试验条件：作为最低温度的-55℃(+0/-10)，作为最高温度的85℃(+10/-0)，在各温度下保持10分钟，以气相式提供1500循环的热冲击。

·观察方法：使用扫描型电子显微镜(SEM)以1000倍的电子显微镜照片图像进行。

·判定基准：适用Class 2(通信用基础设备、汽车用设备)，晶须最大长度(直线长度)为45μm以下。

因此，在具有含Sn的镀Sn皮膜的例如层叠陶瓷电容器等电子部件中，期望飞跃地提高抑制晶须的能力。

因此，本发明的主要目的在于提供飞跃地提高了抑制晶须的能力的电子部件。

用于解决问题的手段

本发明为一种电子部件，其是具有镀Sn皮膜的电子部件，其特征在于，镀Sn皮膜具有Sn多晶结构，在Sn晶界及Sn晶粒内分别形成有Sn-Ni合金粒子。

在本发明所述的电子部件中，Sn-Ni合金粒子优选形成薄片状的形状。

此外，在本发明所述的电子部件中，优选按照与镀Sn皮膜的内侧接触的方式形成有镀Ni皮膜。这种情况下，优选在镀Sn皮膜中的与镀Ni皮膜接触的Sn晶粒内，平均存在3个以上的Sn-Ni合金粒子。

本发明所述的电子部件中，由于在电子部件的镀Sn皮膜中，在Sn晶界及Sn晶粒内形成有Sn-Ni合金粒子，所以抑制晶须的能力飞跃地提高。这是由于，认为通过制成这样的构成，从而镀Sn皮膜中的压缩应力得到缓和，产生晶须的起点被分散，用于产生晶须的能量变小。

像本发明所述的电子部件那样，为了在镀Sn皮膜中的Sn晶界及Sn晶粒内形成Sn-Ni合金粒子，例如，可以通过作为镀Sn皮膜对含Ni的其他的皮膜的表面实施镀Sn且在比较低的温度下进行长时间热处理，或者，可以通过作为镀Sn皮膜实施Sn含量比Ni的含量多的Sn-Ni合金镀覆即富Sn的Sn-Ni合金镀覆且在比较低的温度下进行热处理。若这样实施Sn-Ni合金镀覆来代替实施镀Sn，则由于在镀覆中预先存在Ni，所以能够缩短热处理时间。另外，若镀Sn皮膜的热处理温度过于高温，则生成稳定的Ni₃Sn₄相，Ni的扩散停止，并且在镀Sn皮膜中仅产生Sn-Ni合金的球状晶体，所以无法期待应力缓和效果，得不到抑制晶须的效果。

在本发明所述的电子部件中，为了进一步提高抑制的晶须效果，优选Sn-Ni合金粒子形成薄片状的形状，进而，特别优选按照与镀Sn皮膜的内侧接触的方式形成有镀Ni皮膜，在镀Sn皮膜中的与镀Ni皮膜接触的Sn晶粒内，平均存在3个以上的Sn-Ni合金粒子。

发明的效果

根据本发明，能够得到飞跃地提高了抑制晶须的能力的电子部件。

本发明的上述目的、其它目的、特征及优点根据参照附图进行的以下的具体实施方式的说明变得更加清楚。

附图说明

图1是表示本发明所述的层叠陶瓷电容器的一个例子的剖面图解图。

图2是表示本发明所述的层叠陶瓷电容器的其它例子的剖面图解图。