[发明专利]有机电致发光装置有效
申请号: | 201210135755.3 | 申请日: | 2012-04-28 |
公开(公告)号: | CN102664239A | 公开(公告)日: | 2012-09-12 |
发明(设计)人: | 王俊然;张家豪;杨志仁;张川修 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;鲍俊萍 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 装置 | ||
技术领域
本发明是有关于一种发光装置,且特别是有关于一种有机电致发光装置。
背景技术
有机电致发光装置是一种自发光性(Emissive)的显示器。由于有机电致发光装置具有广视角、高应答速度(约为液晶的百倍以上)、重量轻、可随硬设备小型化及薄型化、高发光效率、高演色性(Color rendering index)以及面光源等特性。因此,有机电致发光装置具有极大的发展潜力,可望成为下一世代的新颖平面显示器。
一般而言,有机电致发光装置包括发光区以及非发光区。发光区中会设置有机发光元件层。若是外界的水气以及氧气进入有机电致发光装置中,水气以及氧气会与有机发光元件层发生电化学反应,损坏有机发光元件层内部的电极与有机发光材料,造成发光区产生暗点并影响有机电致发光装置的效能。为了达到阻隔水氧的效果,一般会使用盖板贴合至承载有机发光元件层的基板上。然而,贴上盖板后,会使得整个有机电致发光装置的厚度增加,而且使用盖板的技术无法应用在可挠式有机电致发光装置中。
承上所述,也可以使用阻水氧薄膜来覆盖有机发光元件层以达到阻隔水气以及氧气的效果。一般而言,现有封装薄膜技术是由无机/有机薄膜多层堆栈的方式构成,其中无机材料的阻水性较佳,有机材料具有填平缺陷以及弹性较佳的优点,因此使用封装薄膜可以增加有机电致发光装置封装后的信赖性。目前无机/有机薄膜多采用真空镀膜的制程。镀膜制程会使位于非发光区的薄膜边缘有阴影效应(Shadow Effect)与图案化覆盖性差等问题,导致镀膜边缘的阻水氧性不佳,因此水气以及氧气易从非发光区的镀膜边缘渗入元件中造成有机电致发光装置的损坏。
发明内容
本发明提供一种有机电致发光装置,其可延长水气以及氧气进入有机发光元件层的路径以提高阻水氧性。
本发明提出一种有机电致发光装置,包括基板、有机发光元件层、图案化结构层以及封装薄膜。基板具有发光区以及非发光区。有机发光元件层位于基板上并位于发光区中。图案化结构层位于基板上并位于非发光区中。封装薄膜位于基板上且覆盖有机发光元件层以及图案化结构层。位于图案化结构层上的封装薄膜的表面为高低起伏表面。位于有机发光元件层上的封装薄膜的表面为平坦表面。
其中,该图案化结构层包括多个突起结构。
其中,该图案化结构层的厚度为0.5~5微米。
其中,该图案化结构层包括一阻水阻氧材料。
其中,该封装薄膜包括至少一迭层,该迭层包括:一第一无机层以及一第二无机层;以及一有机层,位于该第一无机层以及该第二无机层之间。
其中,该图案化结构层具有一最外侧的侧表面,该第一无机层、该有机层及该第二无机层依序覆盖该图案化结构层的该最外侧的侧表面。
其中,该图案化结构层具有一最外侧的侧表面,该第一无机层覆盖该图案化结构层的该最外侧的侧表面,该有机层未覆盖该第一无机层的镀膜边界,且该第二无机层覆盖该有机层的镀膜边界。
其中,该第一无机层以及该第二无机层分别包括金属氧化物、金属氮化物、氧化硅或是氮化硅。
其中,该第一无机层以及该第二无机层的厚度分别介于300埃与1微米之间。
其中,该有机层包括压克力、聚对二甲苯。
其中,该有机层的厚度介于0.5微米与2微米之间。
本发明再提出一种有机电致发光装置,包括基板、有机发光元件层、第一无机层、聚集增益层、有机层以及第二无机层。基板具有发光区以及非发光区。有机发光元件层位于基板上并位于发光区中。第一无机层覆盖有机发光元件层且覆盖位于非发光区的基板。聚集增益层(aggregated enhanced layer)覆盖位于非发光区中的第一无机层。有机层覆盖第一无机层以及聚集增益层。第二无机层覆盖有机层。位于聚集增益层上的有机层以及第二无机层的表面为高低起伏表面,且位于有机发光元件层上的有机层以及第二无机层的表面为平坦表面。
其中,该聚集增益层包括钛、镁或是铝。
其中,该第一无机层具有一最外侧的侧表面,该有机层及该第二无机层依序覆盖该第一无机层的该最外侧的侧表面。
其中,该第一无机层具有一最外侧的侧表面,该有机层未覆盖该第一无机层的镀膜边界,且该第二无机层覆盖该第一无机层的镀膜边界。
其中,该第一无机层以及该第二无机层分别包括金属氧化物、金属氮化物、氧化硅或是氮化硅。
其中,该第一无机层以及该第二无机层的厚度分别介于300埃与1微米之间。
其中,该有机层包括压克力、聚对二甲苯。
其中,该有机层的厚度介于0.5微米与2微米之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择