[发明专利]传输门

说明书

技术领域

本申请的实施方式涉及一种用于选择性地建立传输路径的传输门，更特别地，涉及一种具有扩展了的功能范围的传输门。

背景技术

传输门被用于各种应用，例如用于电连接或断开两个电节点。

发明内容

本文描述的实施方式提供了一种用于选择性地建立传输路径的传输门。该传输门包括第一传输路径端子、第二传输路径端子、串联连接的第一场效应晶体管和第二场效应晶体管以及控制电路。第一场效应晶体管的沟道和第二场效应晶体管的沟道在第一传输路径端子和第二传输路径端子之间串联地耦接，使得第一场效应晶体管的沟道触点与第二传输路径端子耦接并且第二场效应晶体管的沟道触点与第一传输路径端子耦接。控制电路被构造为，提供用于第一场效应晶体管的栅极触点的控制电压和用于第二场效应晶体管的栅极触点的控制电压，使得用于第一场效应晶体管的栅极触点的控制电压在传输门断开的状态下以第一传输路径端子处的电压为基础，并使得用于第二场效应晶体管的栅极触点的控制电压在传输门断开的状态下以第二传输路径端子处的电压为基础。

本文描述的其他实施方式提供了一种用于选择性地建立传输路径的传输门。传输门包括第一传输路径端子、第二传输路径端子、串联连接的第一场效应晶体管和第二场效应晶体管。第一场效应晶体管的沟道和第二场效应晶体管的沟道在第一传输路径端子和第二传输路径端子之间串联地耦接，使得第一场效应晶体管的沟道触点耦接至第二传输路径端子且第二场效应晶体管的沟道触点耦接至第一传输路径端子。第一场效应晶体管和第二场效应晶体管中的至少一个的体积触点（bulk contact）连接至在第一场效应晶体管的沟道和第二场效应晶体管的沟道之间电连接的节点。

此外，这里描述的实施方式提供一种用于选择性地建立传输路径的传输门。传输门包括第一传输路径端子、第二传输路径端子、串联连接的第一场效应晶体管和第二场效应晶体管、第三场效应晶体管、第一换流器（first inverter，INV1）和第二换流器（INV2）。第一场效应晶体管的沟道和第二场效应晶体管的沟道在第一传输路径端子和第二传输路径端子之间串联地耦接，使得第一场效应晶体管的沟道触点耦接至第二传输路径端子且第二场效应晶体管的沟道触点耦接至第一传输路径端子。第一场效应晶体管的体积触点和第二场效应晶体管的体积触点连接至在第一场效应晶体管的沟道和第二场效应晶体管的沟道之间电连接的节点。第三场效应晶体管并联连接至串联连接的第一场效应晶体管和第二场效应晶体管。第三场效应晶体管的沟道在第一传输路径端子和第二传输路径端子之间耦接。第三场效应晶体管是与第一场效应晶体管和第二场效应晶体管互补的场效应晶体管。第一换流器耦接至第一传输路径端子，使得基于第一传输路径端子处的电压对第一换流器供电。第二换流器耦接至第二传输路径端子，使得基于第二传输路径端子处的电压对第二换流器供电。第一换流器被构造为提供用于第一场效应晶体管的栅极触点的控制电压，并第二换流器被构造为提供用于第二场效应晶体管的栅极触点的控制电压。

通过阅读以下详细的描述并观察附图，本领域中的技术人员将认识到另外的特征和优点。

附图说明

附图的元件并非一定相对于彼此成比例缩放。相同的参考标号表示相应相同的部件。可组合各种所示实施方式的特征，除非它们彼此排斥。在附图中示出了实施方式，并在以下描述中详细描述了这些实施方式。

图1示出了根据一个实施方式的用于选择性地建立传输路径的传输门的简化了的示意性电路。

图2示出了传统的传输门（或传送门）的框图。

图3示出了随着时间绘制的输入节点、输出节点和控制端子处的电压电平的示图。

图4示出了传统的传输门的等效电路。

图5示出了传统的传输门的输入电压功能范围的示图。

图6示出了用于宽供电电压范围的传统传输门的输入电压功能范围的示图。

图7示出了根据一个实施方式的传输门的等效电路。

图8示出了图7中所示的传输门的输入电压功能范围的示图。

图9示出了图7中所示的具有两个p沟道MOSFET的限定漏极和源极触点的传输门的等效电路。

图10示出了第一传输路径端子、控制端子、第一p沟道MOSFET的栅极触点、N阱、第二p沟道MOSFET的栅极触点和第二传输路径端子处的电压电平的示图。

图11示出了根据一个实施方式的图7和图9中所示的第一换流器和第二换流器的等效电路。

具体实施方式