[发明专利]传输门

权利要求书

1.一种用于选择性地建立传输路径的传输门，所述传输门包括：

第一传输路径端子和第二传输路径端子；

串联连接的第一场效应晶体管和第二场效应晶体管，其中，所述第一场效应晶体管的沟道和所述第二场效应晶体管的沟道在所述第一传输路径端子和所述第二传输路径端子之间串联地耦接，使得所述第一场效应晶体管的沟道触点耦接至所述第二传输路径端子且所述第二场效应晶体管的沟道触点耦接至所述第一传输路径端子；以及

控制电路，被构造为，提供用于所述第一场效应晶体管的栅极触点的控制电压和用于所述第二场效应晶体管的栅极触点的控制电压，使得用于所述第一场效应晶体管的所述栅极触点的所述控制电压在所述传输门断开的状态下以所述第一传输路径端子处的电压为基础，并使得用于所述第二场效应晶体管的所述栅极触点的所述控制电压在所述传输门断开的状态下以所述第二传输路径端子处的电压为基础。

2.根据权利要求1所述的传输门，其中，所述控制电路被构造为，在所述传输门接通的状态下，基于所述传输门的接地端子处的电压而提供用于所述第一场效应晶体管的所述栅极触点的所述控制电压和用于所述第二场效应晶体管的所述栅极触点的所述控制电压。

3.根据权利要求2所述的传输门，其中，所述控制电路被构造为，基于所述传输门的控制端子处的电压，在所述第一传输路径端子处的电压和所述接地端子处的电压之间切换用于所述第一场效应晶体管的所述栅极触点的所述控制电压，并基于所述传输门的控制端子处的电压，在所述第二传输路径端子处的电压和所述接地端子处的电压之间切换用于所述第二场效应晶体管的所述栅极触点的所述控制电压。

4.根据权利要求1所述的传输门，其中，所述控制电路包括第一换流器和第二换流器，其中，所述第一换流器耦接至所述第一传输路径端子，使得基于所述第一传输路径端子处的电压对所述第一换流器供电，并且其中，所述第二换流器耦接至所述第二传输路径端子，使得基于所述第二传输路径端子处的电压对所述第二换流器供电，其中，所述第一换流器被构造为提供用于所述第一场效应晶体管的所述栅极触点的控制电压，并且其中，所述第二换流器被构造为提供用于所述第二场效应晶体管的所述栅极触点的控制电压。

5.根据权利要求4所述的传输门，其中，所述控制电路的所述第一换流器和所述第二换流器还耦接至所述传输门的接地端子，使得所述第一换流器的供电电压被定义为所述第一传输路径端子处的电压和所述接地端子处的电压之间的电压差，并使得所述第二换流器的供电电压被定义为所述第二传输路径端子处的电压和所述接地端子处的电压之间的电压差。

6.根据权利要求4所述的传输门，其中，所述控制电路的所述第一换流器和所述第二换流器耦接至所述传输门的所述控制端子，使得所述第一换流器基于所述控制端子处的电压而在所述第一传输路径端子处的电压和所述接地端子处的电压之间切换用于所述第一场效应晶体管的所述栅极触点的所述控制电压，并使得基于所述控制端子处的电压，而在所述第二传输路径端子处的电压和所述接地端子处的电压之间切换用于所述第二场效应晶体管的所述栅极触点的所述控制电压。

7.根据权利要求1所述的传输门，其中，所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管中的至少一个的体积触点连接至在所述第一场效应晶体管的所述沟道和所述第二场效应晶体管的所述沟道之间电连接的节点。

8.根据权利要求1所述的传输门，其中，所述第一场效应晶体管的体积触点和所述第二场效应晶体管的体积触点连接至在所述第一场效应晶体管的所述沟道和所述第二场效应晶体管的所述沟道之间电连接的节点。

9.根据权利要求1所述的传输门，还包括并联连接至串联连接的所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管的第三场效应晶体管，其中，所述第三场效应晶体管的沟道耦接在所述第一传输路径端子和所述第二传输路径端子之间。

10.根据权利要求8所述的传输门，其中，所述第三场效应晶体管是与所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管互补的场效应晶体管，并且其中，所述控制电路被构造为提供用于所述第三场效应晶体管的栅极触点的控制电压，使得用于所述第三场效应晶体管的所述栅极触点的所述控制电压与用于所述第一场效应晶体管的所述栅极触点的所述控制电压和用于所述第二场效应晶体管的所述栅极触点的所述控制电压互补。