[发明专利]一种由含汞废水制备硫化汞(HgS)量子点的方法有效

专利信息
申请号: 201210135280.8 申请日: 2012-05-04
公开(公告)号: CN102633296A 公开(公告)日: 2012-08-15
发明(设计)人: 宿新泰;葛建华;杨超;李怡招;王吉德 申请(专利权)人: 新疆大学
主分类号: C01G13/00 分类号: C01G13/00;B82Y40/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 830046 新疆维吾*** 国省代码: 新疆;65
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摘要:
搜索关键词: 一种 废水 制备 硫化汞 hgs 量子 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种含汞废水处理方法,具体来说涉及一种将含汞废水转化为硫化汞(HgS)量子点的方法,属于环境污染治理和纳米材料合成领域。

背景技术

含汞废水是对环境污染最严重的工业废水之一,主要来源于氯碱、有色金属冶炼、化工、汞制剂农药、造纸、染料及热工仪器仪表等行业。这些废水如果处理不当,不仅会造成严重的环境污染,而且危害人类健康。目前研究者已经进行了大量的研究,通过多种方法处理含汞废水。

期刊《山东化工》2007年第6期第17页到第22页中报道了一篇张荣斌撰写的关于工业废水中汞的处理技术的文章。介绍了常用的处理技术有化学沉淀法、混凝法、离子交换法、吸附法、还原法、羊毛吸附法等。

专利CN 102145930A于2011年8月公布了一种深度处理含汞废水的方法。首先将含汞废水的pH调至中性,按比例向其中投加硫化剂以及复合助剂使Hg转化成HgS颗粒沉淀。无需额外加入混凝剂就可以实现颗粒物与水的分离。该发明的关键技术在于添加根据废水水质不同,由铝铁钙及上述离子和活性炭按重量比组成的复合物作为复合助剂,防止HgS与过量的S2-继续反应生成[HgS]2-络合物。

与此同时,半导体量子点由于其在非线性光学、磁介质、催化、医学及功能材料等领域有极为广阔的应用前景而收到研究者的广泛关注。当硫属汞化合物,即HgE(E=S,Se,Te),的粒子尺寸降低到10 nm以下时,其为高质量的半导体量子点。由于汞的高毒性和高反应活性,目前,只有少量的研究报道了硫属汞化合物量子点的制备。

期刊J. Phys. Chem. B在2002年106卷中的9982-9985页报道了通过醋酸汞与硫代甘油和水形成汞的储备液,之后将其加入到二-(2-乙基己基)磺基琥珀酸钠(AOT)和环己烷的混合溶液中,再向体系中加入双三甲基硫硅烷((TMS)2S)和正己烷的混合溶液,得到了1-5 nm的β-HgS量子点。

根据大量的文献研究结果表明,上述现有技术在进行含汞污水处理时还存在操作复杂、条件不宜控制、容易引起二次污染且处理费用很高、难以推广使用等问题。硫属汞量子点的制备方法也有待进一步改进。并且,目前还没有文献报道通过使用含汞废水来进行半导体量子点的制备。

发明内容

本发明提供了一种由含汞废水制备硫化汞(HgS)量子点的方法。该发明不仅可以对含汞废水进行有效的处理,使废水达到了国家排放标准(汞含量小于0.05 mg/L),而且合成了具有更高附加值的HgS半导体量子点。目前还没有文献报道采用含汞废水制备出HgS半导体量子点。且本发明所涉及到的反应所需药品对环境危害小,价格便宜,降低了处理成本。

本发明的目的在于提供一种由含汞废水制备硫化汞(HgS)量子点的方法。

本发明的技术方案之一是提供一种将含汞废水中的Hg2+转移至有机相中的相转移法,其是通过以下步骤进行的:

1. 向1体积份的含汞废水中加入0.3-3体积份的乙醇、0.3-3体积份的有机溶剂;

2. 向反应体系中加入有机络合剂,其与Hg2+的摩尔比为2-20 : 1;

3. 搅拌体系,使其在10-60oC下保持0.5-3 h;

4. 反应结束后,静置分层,Hg2+与有机络合剂形成有机汞配合物由下层水相转移至上层有机相中。

在上述步骤1中所使用的有机溶剂为正己烷、甲苯、三氯甲烷、石油醚中的一种或几种。

在上述步骤2中所使用的有机络合剂为油胺、十二胺、油酸钠、油酸中的一种或几种。

本发明的技术方案之二是由溶剂热法制备HgS量子点,其制备方法是通过以下步骤进行的:

1. 向经过相转移反应后的体系中加入硫源,硫源与Hg2+的摩尔比为1-20 : 1;

2. 将反应体系转移至常规或微波反应釜中,填充度为40-90%,在80-180oC下保持0.5-24 h;

3. 反应结束后,将反应体系分液,除去下层水相,对包含HgS量子点的上层有机相进行离心,将黑色的HgS量子点收集,其可在正己烷、甲苯等有机溶剂中良好地分散。

 在上述步骤1中所使用的硫源为硫粉、硫脲、硫代硫酸钠中的一种或几种。

本发明的技术方案之三是由低温搅拌法制备HgS量子点,其制备方法是通过以下步骤进行的:

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